Výroba polovodičových součástek na křemíku
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Předkládaná práce se zabývá problematikou základních technologií a procesů pro výrobu polovodičových součástek na křemíkovém substrátu. Uvádí procesy vytváření vrstvy oxidu křemičitého pomocí oxidace, vytváření struktur pomocí fotolitografie, dotování příměsí do oblastí vymezených fotolitografií pomocí difúze až po vytváření kontaktů a vodivých cest naprašováním. Dále se zabývá technologickým postupem výroby konkrétních součástek na křemíku, popisem těchto součástek i měřením, výpočtem růstu oxidu křemičitého, výpočtem difúze. Výsledkem jsou naměřené charakteristiky charakteristik součástek plus jejich vyhodnocení.
This work deals with the basic technologies and processes of manufacturing semiconductor devices on a silicon substrate. Deals with the processes from creating a layer of silicon dioxide by oxidation, through the creation of structures using photolithography, the doping of additives into defined areas of diffusion, up to creating contacts and conductive pathways by sputtering. It also deals with the technological production process for silicon devices, description of devices and measurement, calculation layers of silicon dioxide, calculated of diffusion and measured characteristics of components and their evaluation.
This work deals with the basic technologies and processes of manufacturing semiconductor devices on a silicon substrate. Deals with the processes from creating a layer of silicon dioxide by oxidation, through the creation of structures using photolithography, the doping of additives into defined areas of diffusion, up to creating contacts and conductive pathways by sputtering. It also deals with the technological production process for silicon devices, description of devices and measurement, calculation layers of silicon dioxide, calculated of diffusion and measured characteristics of components and their evaluation.
Description
Keywords
Polovodičové součástky, oxidace křemíku, fotolitografie, difúze příměsí, naprašování, postup výroby polovodičových součástek, měření charakteristik., Semiconductor devices, silicon oxidation, photolitografy process, dopants difusion, sputtering, production process of semiconductors, measurement of characteristics.
Citation
JEŽEK, V. Výroba polovodičových součástek na křemíku [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2012.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Mikroelektronika a technologie
Comittee
prof. Ing. Jaromír Kadlec, CSc. (předseda)
Ing. Martin Frk, Ph.D. (místopředseda)
Ing. Karel Pospíšil (člen)
Ing. Pavel Prosr, Ph.D. (člen)
Ing. Roman Prokop, Ph.D. (člen)
Ing. Jiří Špinka (člen)
Date of acceptance
2012-06-11
Defence
Student seznámil státní zkušební komisi s cíli a řešením své bakalářské práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta.
Otázky u obhajoby:
Jaké bylo proudové omezení při měření na tranzistoru?
Difúze z konečného (omezeného) množství?
Možnosti dalšího pokroku v práci?
Návrh optimalizace výrobního postupu. Jakým způsobem?
Co je to zkratka "POL" použitá v textu práce?
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení