Optimalizace procesu hloubkového reaktivního iontového leptání
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Tato bakalářská práce se zabývá optimalizací kryogenního a Bosch procesu hloubkového reaktivního iontového leptání (DRIE). V práci je shrnuta charakterizace leptacích metod křemíku, princip funkce DRIE a vliv jednotlivých parametrů na výsledný profil leptu. Na základě analýzy realizovaných vzorků pomocí rastrovací elektronové mikroskopie (SEM) byla provedena optimalizace obou jmenovaných procesů pro vytvoření úzkých děr s průměry 1 až 16 µm s nejvyšším dosaženým poměrem hloubky ku šířce 28:1 na křemíkovém substrátu. Mimoto byla analyzována drsnost povrchu stěn struktur leptaných oběma procesy pomocí mikroskopie atomárních sil (AFM) a přítomnost fluorových reziduí pomocí rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS).
This bachelor thesis deals with optimization of cryogenic and Bosch deep reactive ion etching (DRIE) processes. The thesis describes characterization of silicon etching methods, the principle of DRIE and the influence of individual parameters on the resulting etch profile. Based on the analysis of fabricated samples using scanning electron microscopy (SEM), both processes were optimized to create narrow microstructures with diameters ranging from 1 to 16 µm with the highest achieved depth-to-width ratio of 28:1 on a silicon substrate. Furthermore, surface roughness was analyzed using atomic force microscopy (AFM) and the presence of fluorine residues by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) in structures etched by both processes.
This bachelor thesis deals with optimization of cryogenic and Bosch deep reactive ion etching (DRIE) processes. The thesis describes characterization of silicon etching methods, the principle of DRIE and the influence of individual parameters on the resulting etch profile. Based on the analysis of fabricated samples using scanning electron microscopy (SEM), both processes were optimized to create narrow microstructures with diameters ranging from 1 to 16 µm with the highest achieved depth-to-width ratio of 28:1 on a silicon substrate. Furthermore, surface roughness was analyzed using atomic force microscopy (AFM) and the presence of fluorine residues by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) in structures etched by both processes.
Description
Citation
HOUŠKA, D. Optimalizace procesu hloubkového reaktivního iontového leptání [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2019.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Mikroelektronika a technologie
Comittee
doc. Ing. Ivan Szendiuch, CSc. (předseda)
prof. Ing. Dalibor Biolek, CSc. (místopředseda)
Ing. Jiří Majzner, Ph.D. (člen)
Ing. Radim Hrdý, Ph.D. (člen)
Ing. Marek Bohrn, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2019-06-11
Defence
Student seznámil státní zkušební komisi s řešením své bakalářské práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta. Dále odpověděl na otázky komise:
Student odpověděl na otázky oponenta. Komise a oponent s odpověďmi byli spokojeni.
K: Všechny technologie jste zvládl sám. S: Ano. K: Impedanční přizpůsobení na str. 41. o co jde? S: nevěděl. Rozsah práce je na bakalářskou práci značný rozsáhlí.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení