Experimentální spínaný zdroj s tranzistory GaN MOSFET
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Táto diplomová práca sa zaoberá návrhom testovacieho spínaného zdroja na princípe vysokofrekvenčného meniča. Cieľom tejto práce je návrh a konštrukcia experimentálneho meniča, ktorý používa na spínanie tranzistory GaN MOSFET a diódy SiC. Bola použitá topológia jednočinného priepustného meniča s dvoma spínačmi. Pri návrhu je zvolený netradične vysoký spínací kmitočet. Pri konštrukcii bol použitý výkonový transformátor s použitím otvoreného magnetického obvodu. Výstupom tejto práce je funkčný menič, ktorý je určený predovšetkým na výukové a demonštračné účely. Jednotlivé časti meniča sú rozdelené do individuálnych blokov, ktoré je možné ďalej použiť na zostavenie iných typov meničov.
This master’s thesis deals with the design of the switching power supply on the principle of high frequency converter. The goal of this thesis is construction of converter which is using GaN MOSFET transistors and SiC diodes for switching. The converter uses two switch forward power supply topology. Unusually high switching frequency was chosen for the design with power transformer with open magnetic core. The outcome of this work is functional converter which is primarily intended for educational and demonstrational purposes. Multiple parts of this converter are divided into individual blocks, which can be further used for construction of other types of switching converters.
This master’s thesis deals with the design of the switching power supply on the principle of high frequency converter. The goal of this thesis is construction of converter which is using GaN MOSFET transistors and SiC diodes for switching. The converter uses two switch forward power supply topology. Unusually high switching frequency was chosen for the design with power transformer with open magnetic core. The outcome of this work is functional converter which is primarily intended for educational and demonstrational purposes. Multiple parts of this converter are divided into individual blocks, which can be further used for construction of other types of switching converters.
Description
Citation
MATIAŠKO, M. Experimentální spínaný zdroj s tranzistory GaN MOSFET [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2016.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Silnoproudá elektrotechnika a výkonová elektronika
Comittee
doc. Dr. Ing. Miroslav Patočka (předseda)
doc. Ing. Ondřej Vítek, Ph.D. (místopředseda)
doc. Ing. Pavel Vorel, Ph.D. (člen)
Ing. Dalibor Červinka, Ph.D. (člen)
prof. Ing. Jiří Skalický, CSc. (člen)
Ing. Josef Šunka, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2016-06-07
Defence
Student obhajoval diplomovou práci na téma Experimentální spínaný zdroj s tranzistory GaN MOSFET.
V prezentaci představuje moderní součástky – tranzistory GaN MOSFET, dále uvádí parametry navrhovaného měniče, pracujícího na frekvenci 800 kHz. Netradiční výkonový transformátor je navinutý na VF feritové tyčce. Popisuje složité chlazení tranzistorů. Prezentace je logická a přehledná, je zřejmé, že student problematice dobře rozumí. Komise namítá, že student v prezentaci neukázal schéma budiče. Na všechny otázky oponenta odpověděl student ke spokojenosti komise.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení