Budiče spínacích výkonových tranzistorů GaN MOSFET
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Práce popisuje postup při návrhu budicích obvodů pro GaN MOSFET tranzistory, které jsou známé především díky schopnosti rychlého spínání. V úvodu práce je nejprve rozebrána a popsána problematika GaN MOSFET tranzistorů a rovněž práce srovnává různé typy MOSFET tranzistorů z hlediska jejich elektrických i mechanických vlastností. Dále je zvolen konkrétní typ budicího obvodu, který byl vybrán v semestrální práci. K ověření činnosti tohoto budicího obvodu byl navržen spínaný zdroj s výstupním výkonem 600W a velikou pracovní frekvencí 800kHz jako pokusný měřící obvod, který byl po zkonstruování oživen, a bylo na něm provedeno kontrolní měření. Zachycené průběhy pomocí osciloskopu jsou následně okomentovány. Závěrem práce je zhodnocení nabytých poznatků o této nové technologii výkonových spínacích tranzistorů.
The thesis describes the procedure during the proposal of the driver circuits for the GaN MOSFET transistors, which are known for their fast switching especially. In the first instance of this thesis the issue of GaN MOSFET transistors is described and also the thesis describes the different types of MOSFET transistors in the way of their electrical and mechanical attributes. The specific type driver circuit is stated in the thesis, which was selected in the semestral thesis. For this circuit the boost converter with an output power 600W and high switching frequency 800kHz was proposed as an attempt measurement circuit. This boost converter was measured after its construction was done. The waveforms captured by the oscilloscope are commented also. In the conclusion the assessment is done about this new technology of power switching transistors.
The thesis describes the procedure during the proposal of the driver circuits for the GaN MOSFET transistors, which are known for their fast switching especially. In the first instance of this thesis the issue of GaN MOSFET transistors is described and also the thesis describes the different types of MOSFET transistors in the way of their electrical and mechanical attributes. The specific type driver circuit is stated in the thesis, which was selected in the semestral thesis. For this circuit the boost converter with an output power 600W and high switching frequency 800kHz was proposed as an attempt measurement circuit. This boost converter was measured after its construction was done. The waveforms captured by the oscilloscope are commented also. In the conclusion the assessment is done about this new technology of power switching transistors.
Description
Keywords
Anténa, budicí obvod, budič, GaN, GS66508P, impulsní, MOSFET, rozptylová indukčnost, spínací, toroidní, transformátorek, tranzistor, vysoká frekvence, výkonový, řízení, spínaný, účinnost, zdroj, Aerial, boost, converter, driver circuit, driving, efficiency, GaN, GS66508P, high frequency, impulse, leakage inductance, MOSFET, power, switching, toroidal, transformer, transistor
Citation
FIALA, Z. Budiče spínacích výkonových tranzistorů GaN MOSFET [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2016.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Silnoproudá elektrotechnika a výkonová elektronika
Comittee
doc. Dr. Ing. Miroslav Patočka (předseda)
doc. Ing. František Veselka, CSc. (místopředseda)
Ing. Jiří Valenta, Ph.D. (člen)
Ing. Dalibor Červinka, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Pavel Vorel, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Radoslav Cipín, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2016-06-08
Defence
Student obhajoval diplomovou práci na téma Budiče spínacích výkonových tranzistorů GaN MOSFET.
Prezentaci začíná popisem struktury práce. Dále pokračuje popisem budiče tranzistoru s naměřenými průběhy. Ukazuje schéma silové části. Dále popisuje netradiční výkonový transformátor na feritové tyčce. Představuje řešení chlazení tranzistorů. Ukazuje fotku funkčního vzorku a poté naměřené průběhy, následuje závěr. Všechny otázky oponenta jsou odpovězeny ke spokojenosti komise. Na otázky v diskuzi student odpovídá přijatelným způsobem, u jedné otázky odpovídá poněkud nejistě.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení