Dual-parameter control of the pole frequency in case of universal filter with MCDU elements

Loading...
Thumbnail Image
Date
2016-12-01
ORCID
Advisor
Referee
Mark
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Springer
Altmetrics
Abstract
This paper presents an universal filter with control of the pole frequency by two mutually independent parameters - current gain (B) and intrinsic resistance (R x) in frame of two modified current differencing unit (MCDU) active elements. This type of control extends and also improves features of the tuning range and is referred to as dual-parameter control. The current-mode filter is of the second order and the required type of the response (low pass, inverting band pass, high pass, band reject and all pass) is obtained by proper selection/combination of input(s) - this filter is of the multiple-input single-output type. The filter employs two capacitors, two MCDUs, each of them with four controllable parameters and one multiple-output current follower. The paper includes tuning range analysis, the simulation results with behavioral models and also laboratory measurement results with the same models. Moreover, designed transistor-level structures of both the active elements proposed in ON Semiconductor I3T CMOS 0.35 um technology that were used for final simulations confirm the workability and features of the designed concept.
Tento článek představuje univerzální filtr s řízením frekvence pólu pomocí dvou nezávislých parametrů - proudové zesílení (B) a vnitřní odpor (Rx) v rámci dvou modifikovaných proudových diferenčních jednotek (MCDU). Tento typ kontroly rozšiřuje a také zlepšuje vlastnosti rozsah ladění a je označován jako dual-parameter řízení. Filtr je druhého řádu, pracuje v proudovém módu a požadovaný typ odezvy (dolní propust, invertující pásmová propust, horní propust, pásmová zádrž a fázovací článek) se získá správným výběrem/kombinací vstupu(ů) - Tento filtr je typu více vstupů - jeden výstup. Filtr používá dva kondenzátory, dva prvky MCDU, každý z nich se čtyřmi nastavitelnými parametry a jeden vícevýstupový proudový sledovač. Článek obsahuje analýzu optimalizace rozsahu ladění, výsledky simulace s behaviorální modely a také výsledky laboratorního měření se stejnými modely. Navíc, aktivní prvky byly navrženy i na tranzistorové úrovni v ON Semiconductor I3T CMOS 0,35 um technologii. Tyto modely byly použity pro finální simulace, které potvrdily funkčnost a vlastnosti navržené koncepce.
Description
Citation
ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING. 2016, vol. 89, issue 3, p. 705-718.
https://link.springer.com/article/10.1007%2Fs10470-016-0756-7
Document type
Peer-reviewed
Document version
Accepted version
Date of access to the full text
Language of document
en
Study field
Comittee
Date of acceptance
Defence
Result of defence
Document licence
(C) Springer
Citace PRO