Povrchová topografie a-CSi:H vrstev připravených v kontinuálním režimu PECVD
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
B
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta chemická
Abstract
Diplomová práce se věnuje povrchové topografii a-CSi:H vrstev připravených v kontinuálním režimu plazmochemické depozice z plynné fáze (PECVD) na bázi monomeru tetravinylsilanu (TVS). Tenké vrstvy nacházejí široké využití v oblasti moderních technologií a jejich fyzikální a mechanické vlastnosti jsou ovlivněny metodou přípravy. V této diplomové práci byly tenké filmy deponovány na povrch křemíkového substrátu metodou plazmochemické depozice z plynné fáze s čistým prekurzorem TVS. Připravené vzorky byly topograficky charakterizovány pomocí mikroskopie atomární síly (AFM) a analyzována byla RMS drsnost, autokorelační délka a distribuce velikosti zrn na povrchu tenkých filmů. K charakterizaci byly připraveny dvě sady vzorků o různých výkonech a tloušťkách. Na základě výsledků byla vyhodnocena statistika objektů vyskytujících se na povrchu tenkých filmů připravených za různých depozičních podmínek.
The thesis describes surface topography of a-CSi:H films deposited by continuous wave plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) based on tetravinylsilane monomer (TVS). Thin films are completely used in many fields of modern technologies and their physical and mechanical properties are affected by thin film preparation techniques. In this thesis the thin films were deposited by PECVD method on silicon wafers with the pure TVS monomer. Deposited samples were topographically described and analyzed using atomic force microscopy (AFM). The main characteristics which were described are RMS roughness, autocorrelation function and a size distribution of grains on the thin film surface. Analysis was realized with two sets of samples with different powers and thickness. The main results were statistically evaluated like a mixture of object on the surface prepared in different deposition conditions.
The thesis describes surface topography of a-CSi:H films deposited by continuous wave plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) based on tetravinylsilane monomer (TVS). Thin films are completely used in many fields of modern technologies and their physical and mechanical properties are affected by thin film preparation techniques. In this thesis the thin films were deposited by PECVD method on silicon wafers with the pure TVS monomer. Deposited samples were topographically described and analyzed using atomic force microscopy (AFM). The main characteristics which were described are RMS roughness, autocorrelation function and a size distribution of grains on the thin film surface. Analysis was realized with two sets of samples with different powers and thickness. The main results were statistically evaluated like a mixture of object on the surface prepared in different deposition conditions.
Description
Citation
BLAŽKOVÁ, N. Povrchová topografie a-CSi:H vrstev připravených v kontinuálním režimu PECVD [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta chemická. 2018.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Chemie, technologie a vlastnosti materiálů
Comittee
prof. RNDr. Josef Jančář, CSc. (předseda)
prof. Ing. Ladislav Omelka, DrSc. (člen)
prof. Dr. Ing. Martin Palou (člen)
prof. Ing. Petr Ptáček, Ph.D. (člen)
prof. Ing. Tomáš Svěrák, CSc. (člen)
doc. Ing. Lucy Vojtová, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Marián Lehocký, Ph.D. (člen)
RNDr. Ladislav Pospíšil, CSc. (člen)
Date of acceptance
2018-05-29
Defence
Diplomantka se ve své prezentaci zabývala výsledky měření povrchové topologie tenkých plazmatických vrstev. Prezentace výsledků této diplomové práce bylo jasné srozumitelné a přehledné. Dotazy oponenta zodpověděla správně a úplně.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení