KOSTKA, M. Detekce UV záření pomocí Grafen/GaN struktur [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2021.

Posudek vedoucího

Mach, Jindřich

Student se během bakalářské práce aktivně podílel na realizaci UV senzoru na bází GaN a grafenu. V první fázi byl studován růst GaN nanokrystalů na grafenovém substrátu, který umožnil nalézt vhodné podmínky pro jejich růstu na grafenu s litograficky připravenými Au kontakty v uspořádání FET. Tímto způsoben byl přípraven sensor UV záření, který byl následně studentem proměřen. Na závěr nad rámec práce byl ještě studován vliv Ga nanočástic na vlastnosti UV senzoru. Výsledky budou užity k přípravě publikace v odborném časopise. Práce studenta byla intenzivní a přesahovala rámec zadání. Proto lze konstatovat, že student splnil všechny úkoly zadání.

Posudek oponenta

Piastek, Jakub

Bakalářská práce Marka Kostky se zabývá problematikou výroby a testování UV senzorů na bázi grafen/GaN rozhraní. Rešeršní část je shrnuta v první, druhé a třetí kapitole. V první kapitole je popsána struktura grafenu, jeho vlastnosti a dvě nejčastěji používané metody pro jeho výrobu. Druhá kapitola má obdobné rozložení, ale je zde popisován nitrid galia (GaN). V třetí kapitole je rozebráno grafen/GaN rozhraní, metody analýzy, a především interakce tohoto rozhraní s UV zářením. Experimentální část začíná čtvrtou kapitolou, která je věnována přípravě vzorků, představení experimentálního zapojení při měření transportních vlastností grafen/GaN rozhraní a popis podmínek depozice při růstu GaN krystalů. Vyhodnocení dosažených výsledků je shrnuto v kapitole pět. V bakalářské práci je důležité pozitivně vyzdvihnout technologickou a časovou komplexnost přípravy vzorků jako i provedení samotného měření. Podle mého soudu student musel překonat mnoho obtíží, než mohl s určitou mírou porozumění naměřit první experimentální data. Dále také tato práce otevírá nové směry, kudy se vydat při výrobě UV senzorů, z toho důvodu má nedocenitelné uplatnění pro budoucí experimenty. K práci mám následující výhrady: V práci se objevuje minimální počet překlepů a gramatických chyb. Chybí mi zpracování rešeršní studie na problematiku UV senzorů, která je v textu pouze zaměřena na interakci UV záření s grafen/GaN rozhraním. V textu místy chybí citace na zmíněné problémy, jako je například metoda výrob grafenu, depozice GaN, interakce s UV zářením, apod. U většiny obrázků chybí měřítka pro lepší představu jejich velikosti. Některé části práce jsou mírně nesrozumitelné (např. str.17 – nanesení vrstvy zlata optickou litografií, str.19 – tabulka přehledu vzorků a parametry jejich výroby, str.24 – uvěznění elektronů v krystalech GaN). Chybí popis grafů, jaká závislost se tam nachází. Chybí výsledky pro měření čistého grafenu na UV záření (str. 23). Přes výhrady, které jsou v posudku práce vyjádřeny, se domnívám, že vzhledem k náročnosti a původnosti tématu bakalářské práce na ÚFI FSI, student vypracoval postup, jak měřit odezvu senzorů na UV záření.

eVSKP id 132496