CHMELAŘ, M. Nastavování vnitřních parametrů integrovaného obvodu pomocí externího rezistoru [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2022.
Práce byla řešena na základě zadání z praxe. Mělo být navrženo tranzistorové schéma bloku umožňujícího nastavení vnitřních parametrů integrovaného obvodu podle hodnoty odporu rezistoru připojeného na jeho vnější svorky. Výstupem pro nastavení mělo být tříbitové číslo v binárním kódu. Přípustná tolerance hodnot rezistoru měla být ověřena počítačovou simulací. Martin Chmelař pracoval při řešení své bakalářské práce naprosto samostatně a velmi dobře se orientoval v problematice návrhu a v literatuře, jejíž rozsah odpovídá náročnosti práce. Kromě doporučené literatury použil také dodatečné zdroje, ze kterých je v textu citováno. Pro návrh byla použita osvědčená a perspektivní CMOS technologie. Postup při návrhu všech obvodů byl průběžně konzultován na osobních schůzkách a prostřednictvím elektronické komunikace s konzultantem v zadavatelské firmě a s vedoucím práce na FEKT. Dosažené výsledky jsou velmi dobrým východiskem pro další pokračování práce a v případě zájmu zákazníků jsou k dispozici jako jeden z možných způsobů redukce počtu použitých typů integrovaných obvodů ve větších systémech. Tolerance hodnoty připojeného rezistoru 1%, předpokládána již na začátku práce, byla potvrzena simulací a je ve většině případů vyhovující. Předložená bakalářská práce má všechny formální náležitosti i odpovídající rozsah a je doplněna funkčními přílohami. Text je psán srozumitelným jazykem a jeho odborná úroveň odpovídá standardu bakalářských prací. Pozornému čtenáři neujde velmi stručný popis návrhu bloků čítače a dekodéru v kapitolách 3.2 a 3.3. Toto zjednodušení však nemá podstatný vliv na celkovou úroveň práce. Zadání práce se podařilo splnit beze zbytku. Bakalářskou práci pana Martina Chmelaře doporučuji k obhajobě.
Student Martin Chmelař vypracoval bakalářskou práci na téma „Nastavování vnitřních parametrů integrovaného obvodu pomocí externího rezistoru“. Hlavním cílem práce byl návrh bloku na tranzistorové úrovni umožňující nastavení vnitřních parametrů integrovaného obvodu. Práce je mimo úvod a závěr rozdělena do čtyř kapitol. První kapitolu tvoři velmi krátký teoretický rozbor, který je zpracován na pouhých čtyřech stranách. Druhou kapitolu tvoří samotný návrh (pět stran). Nejobsáhlejší třetí kapitola se věnuje popisu jednotlivých bloků řešení (čtrnáct stran). Čtvrtá kapitola je věnována provedeným simulacím (čtyři strany). Rozsahově se tedy jedná o velmi krátkou práci na spodní hranici minimálního počtu stran očekávaných pro tento typ práce. Formální stránka práce odpovídá požadavkům kladeným na bakalářskou práci. Výtku mám hlavně k nejednotné velikosti schématických značek používaných v rámci práce, některé obrázky nemají vhodnou kvalitu a pomohlo by jim jejich překreslení (např. obr. 1.1). Obr. 1.5 velikost textu mimo velikost fontu zbylé části práce, nevhodný symbol rezistoru atd. Student vkládá schémata přes celou stránku do textu práce. Bylo by vhodnější a přehlednější je umístit do příloh práce. Student vhodně pracuje s doporučenou literaturou, využívá pět zdrojů na které se odkazuje v textu práce. Předložená práce ukazuje, že se student zmíněné problematice věnoval a rozumí jí. Navrhuji proto práci k obhajobě se počtem 80 bodů.
eVSKP id 142777