BENITES AYALA, I. Nízkošumový zesilovač pro pásmo UHF [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2016.
Student se seznámil s problematikou nízkošumových zesilovačů pro pásmo UHF. Jako aktivní prvek vybral GaAs MOSFET a zvolil vhodnou koncepci jednostupňového zesilovače. Po rozvaze zvolil na vstupu laditelný rezonátor tvořený úsekem koaxiálního vedení. Navrhl odpovídající napájecí obvody. Provedl řadu simulací zesilovače v prostředí ANSYS Designer. Navržený zesilovač realizoval a proměřil jeho parametry. K řešení úkolu přistupoval svědomitě a aktivně.
Student vypracoval bakalářskou práci na téma nízkošumového vysokofrekvenčního zesilovače pro pásmo 70cm. V práci se nejprve zabývá teoretickým popisem problematiky a poté následuje samotný praktický návrh zesilovače. Popsán je rozbor parametrů vybraného tranzistoru, výběr pracovního bodu tranzistoru, vyšetření jeho stability a návrh obvodu tak, aby byl absolutně stabilní. Dále následuje výpočet obvodů nastavení stejnosměrného pracovního bodu a nakonec je popsán návrh přizpůsobení obou bran zesilovače. Návrh je doplněn o vstupní filtr typu pásmová propust. Práce je ukončena popisem realizace zesilovače a měřením jeho zisku a šumového čísla včetně vstupního filtru. Zde bych uvítal měření útlumu samotného filtru, který na vstupu zesilovače přímo ovlivňuje šumové číslo celého obvodu. Text práce je napsán v anglickém jazyce, přehledně popisuje problematiku a je logicky členěn. U některých obrázků se schématy je použita nevhodná ztrátová komprese, která poněkud snižuje čitelnost. Návrh je proveden správně a dostatečně popsán. V práci pouze schází popis přechodu mezi ideálními součástkami přizpůsobení a reálnými obvody ve standardních řadách se ztrátami. Z tohoto důvodu je i v celkové simulaci udáváno šumové číslo identické s teoretickým minimálním šumovým číslem samotného tranzistoru. Měření pak vykazuje větší odchylku od simulovaných výsledků. I přes tyto výhrady je práce kvalitní a na slušné úrovni.
eVSKP id 95095