LANG, R. Měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2013.
Předložená bakalářské práce se měla zabývat návrhem a realizací laboratorního přípravku pro měření dynamických parametrů bipolárních či unipolárních tranzistorů. Předložený text obsahuje 37 číslovaných stran z toho je cca 20 stran teorie. V práci však naprosto chybí jakýkoliv popis snad navrženého a realizovaného přípravku, chybí také zapojení přípravku, případně zapojení navrhované laboratorní úlohy. Z textu není vůbec zřejmé čeho bylo během bakalářské práce dosaženo a s jakými výsledky. O schopnostech studenta se lze pouze domnívat z přeložené fotodokumentace, která je uvedena v příloze. Nelze však objektivně zhodnotit čeho student dosáhl a co je ve skutečnosti opravdu funkční. Další otázkou zůstává, jak vypadá ilustrativní program vytvořený v prostředí VEE. Z předloženého textu a prezentovaných výsledků se dle mého názoru nepodařilo studentovi splnit zadání bakalářské práce a proto práci hodnotím stupněm nestatečně a požaduji dopracování bakalářské práce.
Cílem práce bylo navrhnou přípravek pro měření tranzistorů (dynamických parametrů), navrhnout sestavení pracoviště (přístroje a jejich provázání) a program ve VEE pro snadnou obsluhu. Téma práce má praktický charakter. Navzdory tomu však velká část práce/technické zprávy (asi 21 stran z 37) zbytečně podrobně rozebírá teorii principu tranzistorů a modelů (navíc celkem nevhodně koncipovanou a neucelenou), což není cílem práce. Většina těchto informací a rovnic je ve vztahu k zadání a předpokládanému výsledku naprosto irelevantní, zanedbatelná a s tématem souvisí pouze okrajově. Lze nabýt dojmu, že jsou zde jen z důvodu nárůstu rozsahu textu zprávy (působí jako výpisky ze skript). Místy jsou navíc informace celkem rozporuplné či mylné (nejasné a zmatené definice THD, SINAD a mnoha dalšího). Deklarované možnosti měřícího systému (str. 25) pro měření hybridních a admitančních parametrů jsou slibné, avšak i zde je několik otazníků. Např. měření h11e a h21e pomocí superponovaného signálu na DC napětí a proudy definující polohu pracovního bodu nemusí být při větších proudech kolektorem vhodné, pokud nebude zajištěna teplotní stabilizace (pracovní bod bude "courat" s ohřevem). Proto je třeba některé uváděné postupy pečlivě experimentálně ověřit a eliminovat případné problémy. Činnost měřícího systému je diskutována a jisté vývojové diagramy předpokládaného chování (součinnosti přístrojů a přípravku pro měření tranzistorů) jsou uvedeny v přílohách. Postrádám však obrázky prostředí nástroje VEE (blokovou strukturu měřícího procesu s bloky reprezentující jednotlivé přístroje a obrázky uživatelského rozhraní). Otázkou je, zda byl navržený ovládací/prováděcí program v součinnosti s přípravkem prakticky vyzkoušen, protože tomu nic nenasvědčuje. Formálních nedostatků je značné množství. Chybí čárky ve větách. Diskuze je vedena formou 1. osoby množného čísla. Některé zkratky nejsou vysvětleny (např. linearizovaný EM model) a chybí i v seznamu symbolů a zkratek. Často chybí odkazy na reference v textu. Drtivá většina obrázků je převzatá. Psaní práce nebyla věnována adekvátní pečlivost. Některé nedostatky základního charakteru budí dojem, že buďto byly některé části textu hrubě odbyty bez řádné kontroly a nebo se student těžce orientuje v základních věcech. Viz např. "...vliv parazitních kapacit mezi hradly C, B a E" při diskuzi bipolárního tranzistoru. Činnost přípravku není uceleně, logicky a výstižně popsána (odkaz na schema do přílohy v textu navíc chybí a není tak jasné o čem je řeč). Závěrem lze konstatovat, že jistá koncepce, metodika, hardwarová pomůcka (přípravek pro měření) i představa posloupnosti prováděných úkonů (princip, na základě kterého by mohl být sestaven program), uplatnitelná pro předpokládaná měření, vznikla, ale není dotažena do konce a prakticky ověřena. I přes vynaložení určitého úsilí tak nebylo zadání z pohledu hlavního cíle splněno. Vzhledem k tomu navrhuji hodnocení E/ 52 b.
eVSKP id 65790