VAŘEKA, K. 2D a 3D analýza polovodičových struktur metodou SIMS [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2019.
Cílem bakalářské práce bylo provést 2D a 3D analýzu metodou SIMS s důrazem na tomografii. Student se danému tématu věnoval intenzivně, rychle se naučil měřit s přístrojem SIMS5. Prováděl 2D SIMS analýzy vzorků vyrobených firmou On Semiconductor a po instalaci nového fokusovaného iontového zdroje zvládl i tomografické měření včetně zpracování tomografických dat. Nad rámec zadání se naučil vytvářet lamely pro TEM analýzu na mikroskopu Lyra. Student k řešené problematice přistupoval zodpovědně s velkým experimentálním zájmem. Jeho práce předčila očekávání požadovaná v zadání, a proto navrhuji hodnocení stupněm A.
Kritérium | Známka | Body | Slovní hodnocení |
---|---|---|---|
Splnění požadavků a cílů zadání | A | ||
Postup a rozsah řešení, adekvátnost použitých metod | A | ||
Vlastní přínos a originalita | A | ||
Schopnost interpretovat dosažené výsledky a vyvozovat z nich závěry | A | ||
Využitelnost výsledků v praxi nebo teorii | A | ||
Logické uspořádání práce a formální náležitosti | A | ||
Grafická, stylistická úprava a pravopis | A | ||
Práce s literaturou včetně citací | A | ||
Samostatnost studenta při zpracování tématu | A |
Bakalářská práce Karla Vařeky se zabývá 2D a 3D analýzou polovodičových vzorků pomocí hmotnostní spektrometrie sekundárních iontů (SIMS). V první části práce je pozornost věnována obecnému úvodu do této analytické techniky, dále pak detailněji typem ToF-SIMS, který byl pro účel práce použit. V další části je popsána funkce rastrovacího elektronového mikroskopu, vytváření fokusovaného iontového svazku a interakci elektronů/iontů s pevnou látkou (částečně již uvedeno v úvodu do SIMS). Poslední kapitola teoretické části je zaměřena na popis polovodičových struktur (TIGBT) použitých pro analýzu. V šesté kapitole jsou již uvedeny experimentální výsledky. Nejprve byla pomocí zařízení FIB-SEM vytvořena tzv. lamela a na ní detailně studováno složení polovodičové struktury v režimu rastrovací transmisní elektronové mikroskopie. Následně již byla dvěma rozdílnými způsoby provedena analýza SIMS na stejném vzorku, jejímž výstupem byly po zpracování dat získány 3D modely reprezentující rozložení hliníku, titanu a dalších prvků v analyzovaném objemu. Bakalářská práce je logicky uspořádaná, s vhodným grafickým doplněním, na které však v textu velmi často chybí odkaz, čímž se při čtení ztrácí přehlednost. Až na některé drobné nedostatky je práce psána srozumitelnou a dobrou češtinou. Student se během vytváření rešeršní části práce dobře seznámil s technologií SIMS a také se systémy vytvářející fokusované svazky nabitých částic. V rámci experimentů student získal mnoho praktických zkušeností v uvedené problematice, které jsou slibné k jejich dalšímu využití. Proto hodnotím práci stupněm A.
Kritérium | Známka | Body | Slovní hodnocení |
---|---|---|---|
Splnění požadavků a cílů zadání | A | ||
Postup a rozsah řešení, adekvátnost použitých metod | A | ||
Vlastní přínos a originalita | C | ||
Schopnost interpretovat dosaž. výsledky a vyvozovat z nich závěry | B | ||
Využitelnost výsledků v praxi nebo teorii | A | ||
Logické uspořádání práce a formální náležitosti | A | ||
Grafická, stylistická úprava a pravopis | B | ||
Práce s literaturou včetně citací | A |
eVSKP id 117579