ČERMÁK, R. Studium vlastností povrchu monokrystalů CdTe se sub-nanometrovým hloubkovým rozlišením [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2019.
Bakalářská se zabývá vlivem koncentrace leptacího roztoku brom-metylalkohol na stechiometrický poměr Te/Cd u dvousložkového polovodiče CdTe. Zkoumán byl účinek leptání na polární krystalografickou orientaci (111), kde je jedna strana krystalu terminována kadmiem – (111)A a druhá telurem – (111)B. Bylo zjištěno, že rychlost leptání roste lineárně se zvyšující se koncentrací bromu v metylalkoholu a že rychlost odleptávání povrchu je nezávislá na terminaci krystalu. Po oleptání byly obě strany krystalu výrazně ochuzeny o Cd. Krystalografická orientace 111(B) nevykazovala výraznou změnu stechiometrie při různých koncentracích bromu v leptadle, zatímco strana 111(A) vykazovala vyšší míru ochuzení o Cd s rostoucí koncentrací Br v roztoku. Dále bylo zjištěno, že tloušťka chemicky modifikované vrstvy po leptání je za všech okolností konstantní. Student svědomitě přistupoval ke zdlouhavé mechanické přípravě krystalů. Samotné leptání bylo, z důvodu velmi vysoké nebezpečnosti bromu, prováděno vedoucím práce. Dalším práci komplikujícím faktorem je unikátnost metody LEIS: Na světě je instalováno pouze 7 přístrojů tohoto typu a z toho pramení malá dostupnost literatury. Měření na aparatuře LEIS po původním proškolením zvládal autor samostatně. Horší to ale bylo s extrakcí a zpracováním dat. Autor zapomínal na korektní pojmenování změřených dat. Zpracovaná data občas dodal s výrazným časovým odstupem, což komplikovalo jejich zpětnou kontrolu. I přes připomínky student volil zbytečně komplikované způsoby jejich zpracování, které se však nijak neodrážely v informační hodnotě interpretovaných dat. Bohužel, nejspíše z nedostatku času ke konci semestru, postrádám hlubší diskusi a extrakci základních morfologických parametrů, tj. závislost drsnosti povrchu a rozložení výšek na koncentraci leptacího roztoku. Práce je psaná dobrou angličtinou, s minimem překlepů. Členění textu je přehledné a plynule přechází od teoretické do experimentální části. Grafům bych vyčetl nezobrazení naměřených bodů a zvolené spojovací čáry působí na první pohled podobně a je obtížné určit, k jaké koncentraci se dané křivky vztahují. Rozsah práce je na spodním limitu doporučeného počtu stran. Nicméně, student na její realizací strávil hodně času a to zejména kvůli, ve srovnání s přípravou Si waferů, velmi časově náročné přípravě materiálu. Obdržená data budou součástí článku v impaktovaném časopise, který bude navazovat na článek „Low energy ion scattering as a depth profiling tool for thin layers - Case of bromine methanol etched CdTe“, který v časopise Vacuum publikoval vedoucí práce. Práci doporučuji k obhajobě a klasifikuji ji hodnocením 77 bodů (C).
Bakalářská práce se zabývá analýzou leptaných povrchů krystalu CdTe pomocí metod AR-XPS a D-LEIS. Leptání bylo prováděno roztokem brom metanolu a cílem práce bylo studium účinků leptání na různě terminované stany krystalu. Topografie povrchu byla měřená pomocí optické mikroskopie a mikroskopie atomárních sil. Student v práci popsal principy použitých metod a krátce se věnoval i různým aplikacím CdTe krystalů. Tato teoretická čas je přehledně napsaná, ale obsahuje některé fyzikální nepřesnosti. Např. na str. 18 je uvedeno nesprávné tvrzení, že informační hloubka XPS je závislá na úhlu ozařování. Dále na str. 21 je uvedeno, že Faradayův kalíšek se používá, aby při měření proudu iontů zamezil úniku odraženým iontům. Ty však nesou výrazně menší náboj než nezmíněné sekundární elektrony a ionty, které se touto celou hlavně zachycují. Experimentální část by si zasloužila více pozornosti při prezentaci měřených dat. Např. u hloubkových profilů LEIS by bylo vhodné místo počtu spekter uvést osu x v podobě odprašované hloubky. Nicméně celkově práce působí dobrým dojmem, je napsána srozumitelně bez překlepů. Tato práce prokázala studentovu schopnost řešit danou problematiku a prezentovat dosažené výsledky. Souhrnem klasifikuji tuto práci stupněm B.
eVSKP id 119433