Now showing items 1-20 of 20

  • Depozice gallium-nitridových tenkých vrstev na křemíkové substráty strukturované elektronovou litografií 

    Knotek, Miroslav
    Bakalářská práce se zabývá depozicí tenkých vrstev nitridu gallitého (GaN) na křemíkové substráty, které byly strukturovány elektronovou litografií. V práci jsou zkoumány možnosti použití rezistů pro selektivní růst ...
  • Depozice GaN nanokrystalů s Ga nanočásticemi 

    Novák, Jakub
    Tato bakalářská práce se zabývá přípravou a charakterizací Ga struktur a GaN nanokrystalů. V teoretické části jsou představeny vlastnosti a také aplikace GaN. Dále jsou uvedeny některé substráty pro růst a také techniky ...
  • Diagnostika a optimalizace parametrů Wienova filtru pro hmotnostní separaci 

    Joch, Vítězslav
    Tato bakalářská práce se zabývá stanovením základních parametrů Wienova filtru pro hmotnostní separaci fokusovaného iontového svazku. Dále se práce zabývá hledáním vhodných provozních parametrů iontového děla pro depozici ...
  • GaN modifikované Schottkyho solární články s rozhraním Grafen/Si 

    Mohelský, Ivan
    Tato práce se zabývá přípravou a charakterizací Schottkyho solárních článků s přechodem grafen/křemík. Pro tuto studii byla navržena a vyrobena aparatura pro měření I-V charakteristik solárního článku. Rozhraní grafen/křemík ...
  • Návrh efuzní cely pro depozici ultratenkých vrstev Al 

    Řihák, Radek
    Tato bakalářská práce se zabývá návrhem efuzní cely pro tvorbu ultrathenkých vrstev hliníku v podmínkách ultravysokého vakua. Byly navrhnuty dvě varianty lišící se typem ohřevu. První využívá energie urychlených elektronů, ...
  • Návrh iontového zdroje pro odprašování 

    Glajc, Petr
    Tato bakalářská práce se zabývá vývojem nového typu iontového zdroje. Jejím cílem je navrhnout iontový zdroj se sedlovým polem pro odprašování. Inovací ve vypracovaném návrhu je kombinace klasického válcově symetrického ...
  • Neutralizace náboje na povrchu nevodivých substrátů při depozici iontovým svazkem 

    Kejík, Lukáš
    Bakalářská práce se zabývá možnostmi neutralizace povrchu nevodivých substrátů při depozici iontovým svazkem. V práci byly navrženy tři varianty neutralizačních paletek. Všechny varianty byly otestovány a byly provedeny ...
  • Optimalizace iontového zdroje typu Colutron 

    Horký, Michal
    Bakalářská práce se zabývá návrhem a konstrukcí iontového děla typu Colutron, který vytváří svazek iontů dusíku o energii od desítek až po tisíce eV. V první části práce je stručně popsána problematika tvorby iontů a princip ...
  • Optimalizace zařízení pro přípravu GaN nanostruktur 

    Šimek, Daniel
    Tato bakalářská práce se zabývá automatizací zdrojů pro depozici GaN nanokrystalů užívaných na Ústavu fyzikálního inženýrství. V rámci práce byl navržen a zkonstruován mechanizmus umožňující automatické ovládání clony ...
  • Příprava GeSn nanostruktur 

    Jedlička, Jindřich
    Tato bakalářská práce se zabývá metodami přípravy GeSn nanodrátů. V teoretické části je popsána pásová struktura pevných látek a jsou uvedeny důvody, proč je materiál GeSn zajímavý. Je představen mechanismus růstu nanodrátů ...
  • Příprava ultratenkých vrstev SiN 

    Dvořák, Martin
    Tato bakalářská práce je zaměřena na realizaci, testování a kalibrování efuzní cely poskytující atomární svazky Si o termální energii (0,1 - 1 eV). Tyto svazku jsou užity k přípravě ultratenkých vrstev Si a SiN. Je zpracována ...
  • Rekonstrukce iontového děla a jeho aplikace pro tvorbu tenkých vrstev a nanostruktur 

    Novák, Tomáš
    Bakalářská práce se zabývá úpravou a experimentálním využitím iontového zařízení, které vytváří a transportuje svazek iontů dusíku o energiích desítek až stovek eV. V kombinaci s galliovou efúzní celou toto zařízení slouží ...
  • Růst ZnO nanodrátů 

    Mikula, Martin
    V této práci jsou stručně charakterizovány nejvýznamnější vlastnosti nanodrátů a možnosti jejich syntézy. Speciální pozornost je věnovaná nanostrukturám oxidu zinečnatého jako i mechanizmu VLS, který je podstatný pro ...
  • Řízení depozičního procesu pomocí počítače 

    Pavera, Michal
    Bakalářská práce se zabývá problematikou spojenou s návrhem automatizace depozice ultratenkých vrstev metodou IBAD. Jedním z úkolů bakalářské práce je návrh a realizace ovládání držáku substrátu a terče. Tato práce tedy ...
  • Sekvenční růst GaN nanokrystalů na substrát SiO2 modifikovaný metodou FIB 

    Damková, Jana
    Tato bakalářská práce je zaměřena na selektivní růst gallia (Ga) a nitridu gallia (GaN). V teoretické části je stručně popsán růst ultratenkých vrstev s ohledem na GaN a techniky jeho přípravy. Experimentální část se zabývá ...
  • Selektivní růst gallium-nitridových tenkých vrstev na substráty pokryté maskou z pyrolyzovaného rezistu 

    Novák, Tomáš
    Tato práce se zabývá depozicí tenkých vrstev GaN aselektivním růstem Ga a GaN s využitím masek z pyrolyzovaného rezistu. Na křemíkových substrátech byly elektronovou litografií a pyrolýzou rezistu připraveny uhlíkové masky. ...
  • Selektivní růst GaN na modifikovaný substrát metodou FIB 

    Mareš, Petr
    Práce se zabývá selektivním růstem krystalů GaN na SiO2. Teoretická část pojednává o charakteru růstu ultratenkých vrstev s důrazem na nitrid gallia a metody jeho přípravy. Teoretická část také obsahuje popis metody ...
  • Selektivní růst GaN nanostruktur na křemíkových substrátech 

    Knotek, Miroslav
    Tato práce se zabývá depozicí tenkých vrstev nitridu gallia na křemíkové substráty pokryté maskami z negativního rezistu HSQ. Rezist byl strukturován elektronovou litografií za účelem vytvoření masek, ve kterých bylo ...
  • Sestavení a testování zařízení pro výrobu ozonované vody a její aplikace na čištění křemíkových desek 

    Ředina, Dalibor
    Deionizovaná ozonovaná voda neboli tzv. DIO3 se zdá být vhodnou alternativou pro použití v polovodičovém průmyslu. Užití DIO3 při odstraňování fotorezistu z křemíkových desek je rychlejší, levnější a šetrnější k životnímu ...
  • Vývoj atomárních a iontových svazkových zdrojů 

    Tihlařík, Jan
    Práce se zabývá problematikou tvorby iontových svazků. Je zde popsán vliv iontové optiky na formování svazku a růst ultratenkých vrstev GaN, jakož i optimalizace zdroje k depozici a měření vlastností iontového svazku. V ...