Now showing items 1-4 of 4

  • Měření vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů 

    Kaňa, Leoš
    V rámci zefektivnění měření vlastností tranzistorů, ať už unipolárních (FET) nebo bipolárních (BJT), v laboratorních podmínkách a tím jejich lepší pochopení v rámci probírané látky, je žádoucí mít k dispozici pracoviště ...
  • Modely tranzistorů technologie CMOS 0.35 um I3T pro PSpice 

    Veverka, Vojtěch
    Práce je zaměřena na tvorbu modelů aktivních součástek pro obvodový simulační program PSpice. Jedná se především o tvorbu modelů na základě textového popisu dostupného v knihovnách nástroje Cadence Spectre a jejich převod ...
  • Novel Resistorless First-Order Current-Mode Universal Filter Employing a Grounded Capacitor 

    Arslanalp, R.; Tola, A. T.; Yuce, E. (Společnost pro radioelektronické inženýrství, 2011-09)
    In this paper, a new bipolar junction transistor (BJT) based configuration for providing first-order resistorless current-mode (CM) all-pass, low-pass and high-pass filter responses from the same configuration is suggested. ...
  • Preventing Inductive Output Impedance of High-Frequency Emitter Follower Stages 

    Nerad, J.; Tozer, R. C. (Společnost pro radioelektronické inženýrství, 1997-04)
    Large output inductance is one of major issues of high-frequency emitter follower design. The most often suggested technique to reduce its value is the decreasing of AC transconductance which offers small output inductance ...