Now showing items 1-17 of 17

  • Budiče spínacích výkonových tranzistorů GaN MOSFET 

    Fiala, Zbyněk
    Práce popisuje postup při návrhu budicích obvodů pro GaN MOSFET tranzistory, které jsou známé především díky schopnosti rychlého spínání. V úvodu práce je nejprve rozebrána a popsána problematika GaN MOSFET tranzistorů a ...
  • Depozice a charakterizace GaN nanostruktur s kovovým jádrem 

    Čalkovský, Vojtěch
    Tato diplomova prace se zabyva prpravou a charakterizac GaN nanokrystalu s kovovym jadrem. V teoreticke casti teto prace je predstaven material GaN se svymi vlastnos- tmi a aplikacemi. Dale jsou uvedeny substraty pro rust ...
  • Depozice Ga a GaN nanostruktur s kovovým jádrem 

    Čalkovský, Martin
    Tato diplomová práce se zabývá přípravou GaN nanokrystalů s kovovým jádrem. V teoretické části této práce je představen materiál GaN se svými vlastnostmi a aplikacemi. Dále jsou uvedeny některé metody přípravy GaN, přičemž ...
  • Depozice GaN nanokrystalů s Ga nanočásticemi 

    Novák, Jakub
    Tato bakalářská práce se zabývá přípravou a charakterizací Ga struktur a GaN nanokrystalů. V teoretické části jsou představeny vlastnosti a také aplikace GaN. Dále jsou uvedeny některé substráty pro růst a také techniky ...
  • Metoda termální desorpční spektroskopie (TDS) a její aplikace pro výzkum povrchových procesů 

    Potoček, Michal
    Metoda termální desorpční spektroskopie (TDS) je obecná metoda pro povrchovou analýzu adsorbovaných molekul. Práce se v 1. kapitole zabývá teoretickými základy této metody a ukazuje princip desorpčního procesu ovlivněného ...
  • Měření fotoluminiscenčních vlastností ultratenkých vrstev 

    Metelka, Ondřej
    Tato bakalářská práce stručně vykládá principy a druhy luminiscence. V následující první rešeršní studii se pojednává také o zařízeních použitelných při fotoluminiscenčních experimentech, včetně jejich uspořádání. V druhé ...
  • Optimalizace vysokofrekvenčního atomárního disociačního zdroje pro depozici GaN 

    Kern, Michal
    Táto bakalárska práca sa zaoberá sprevádzkovaním a optimalizáciou vysokofrekvenčného atomárneho disociačného zdroja dusíka pre depozíciu GaN. Teoretická časť sa zaoberá atomárnymi zdrojmi, rastom ultratenkých vrstiev a ...
  • Optimizing Bias Point Of High Efficiency Class-B Gan Power Amplifier For The Best Efficiency 

    Fiser, Ondrej (Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, 2019)
    High performance amplifiers are always a demanding component in the world of wireless communication. The amplifier is the heart that drives each radio system. We have designed and developed a high performance one-stage ...
  • Present State Of GaN Technology In Power Electronics 

    Šír, Michal (Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, 2017)
    This paper presents a general overview of nowadays Gallium Nitride power transistor technology and shows the existing components with their limits from different manufacturers currently available on the market. Introduction ...
  • Průzkum trhu výkonových polovodičových součástek 

    Jankovský, Martin
    Hlavním tématem práce jsou moderní výkonové polovodičové součástky. Jsou diskutovány i rozvíjející se materiály s velkou šířkou zakázaného pasu a jejich elektrické vlastnosti. Práce je pak zaměřena na tyto moderní součástky, ...
  • Příprava a analýza nanostruktur v podmínkách UHV 

    Gloss, Jonáš
    Cílem této bakalářské práce bylo skoumání přípravy a analýzy nanostruktur v podmínkách vysokého vakua (VV). Teoretická část klade důraz na gallium nitridové (GaN) nanostruktury. Ty pak byly analyzovány rastrovacím tunelovacím ...
  • Sekvenční růst GaN nanokrystalů na substrát SiO2 modifikovaný metodou FIB 

    Flajšmanová, Jana
    Tato bakalářská práce je zaměřena na selektivní růst gallia (Ga) a nitridu gallia (GaN). V teoretické části je stručně popsán růst ultratenkých vrstev s ohledem na GaN a techniky jeho přípravy. Experimentální část se zabývá ...
  • Selektivní růst gallium-nitridových tenkých vrstev na substráty pokryté maskou z pyrolyzovaného rezistu 

    Novák, Tomáš
    Tato práce se zabývá depozicí tenkých vrstev GaN aselektivním růstem Ga a GaN s využitím masek z pyrolyzovaného rezistu. Na křemíkových substrátech byly elektronovou litografií a pyrolýzou rezistu připraveny uhlíkové masky. ...
  • Selektivní růst GaN na modifikovaný substrát metodou FIB 

    Mareš, Petr
    Práce se zabývá selektivním růstem krystalů GaN na SiO2. Teoretická část pojednává o charakteru růstu ultratenkých vrstev s důrazem na nitrid gallia a metody jeho přípravy. Teoretická část také obsahuje popis metody ...
  • Selektivní růst GaN na SiN 

    Hulva, Jan
    Tato bakalářská práce se zabývá selektivním růstem gallia a gallium nitridu na substrátech nitridu křemíku. Depozicí nízkoenergiových dusíkových iontů je na křemíkovém substrátu vytvořena vrstva nitridu křemíku (SiN). Na ...
  • Selektivní růst GaN nanostruktur na křemíkových substrátech 

    Knotek, Miroslav
    Tato práce se zabývá depozicí tenkých vrstev nitridu gallia na křemíkové substráty pokryté maskami z negativního rezistu HSQ. Rezist byl strukturován elektronovou litografií za účelem vytvoření masek, ve kterých bylo ...
  • Vývoj atomárních a iontových svazkových zdrojů 

    Šamořil, Tomáš
    Úkolem diplomové práce bylo provedení optimalizace iontově-atomárního zdroje, která povede ke zlepšení vlastností iontově-atomárního svazku. Zlepšení parametrů svazku zvyšuje účinnost iontově-atomárního zdroje při depozicích ...