Now showing items 1-5 of 5

  • A 28-nm 32Kb SRAM For Low-VMIN Applications Using Write and Read Assist Techniques 

    Kumar, S.; Saha, K.; Gupta, H. (Společnost pro radioelektronické inženýrství, 2017-09)
    In this paper new write and read assist techniques, reduced coupling signal negative bitline (RCS-NBL) and low power disturbance noise reduction (LP-DNR) of 6T static random-access memory (SRAM) to improve its minimal ...
  • Digitální vstupně/výstupní karta s USB konektivitou 

    Kořínek, Milan
    Diplomová práce se zabývá návrhem digitální vstupně/výstupní karty komunikující přes rozhraní USB pro společnost Honeywell spol. s r.o. – HTS CZ o.z. Hlavním cílem je eliminace zpoždění mezi přečtením aktuálního stavu ...
  • Generování fyzicky neklonovatelné funkce 

    Koleček, František
    Tato práce řeší problematiku fyzicky neklonovatelných funkcí. V teoretické části jsou popsány základní principy pojmy pro seznámení čtenáře s probíraným tématem, členění a popis různých typů fyzicky neklonovatelných funkcí ...
  • Návrh testeru paměti RAM ve VHDL 

    Charvát, Jiří
    Tato práce popisuje problematiku hardwarového testování polovodičových pamětí.  Popisuje princip fungování základních typů pamětí, způsob, jakým uchovávají data a způsob komunikace. Dále ukazuje typické poruchy, které ...
  • Testování SRAM pamětí s využitím MBIST 

    Sedlář, Jan
    Práce se zabývá testováním pamětí SRAM pomocí metody MBIST s využitím softwaro-vého nástroje Tessent Memory BIST. Cílem je seznámit se s testováním pamětí a vytvořitnávrh na specifickém čipu, kterému po implementaci testovací ...