Now showing items 1-6 of 6

  • Morphological Structure Of Solar Cells Based On Silicon And Gallium Arsenide After Ion Etching 

    Papež, Nikola (Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, 2018)
    Study deals with the investigation of the surface after ion etching on two types of solar cells – based on widely available polycrystalline silicon and on durable gallium arsenide for use in more demanding environments. ...
  • Příprava grafenových vrstev různými metodami a charakterizace jejich vlastností 

    Zahradníček, Radim
    Bakalářská práce se zabývá výrobou grafenu různými metodami. Grafen byl připraven pomocí mechanické exfoliace a chemických metod. Oxid grafenu (GO) byl nejdřív připraven modifikovanou Hummersovou metodou a rozpuštěn v ...
  • Příprava trojvrstev Ag/Co/Ag 

    Burda, Pavel
    Bakalářská práce je věnována přípravě a studiu ultratenkých vrstev stříbra a kobaltu. Z těchto materiálů jsou tvořeny vrstvy na křemíkových substrátech. Substráty tvoří povrchově upravený krystalický křemík (SiO2/Si(111), ...
  • Selektivní růst kovových materiálů na čistých a oxidovaných substrátech. 

    Koňáková, Kateřina
    Diplomová práce pojednává o studiu morfologie tenké vrstvy kobaltu na čistém Si(111) a na Si(111) s tenkou vrstvou oxidu křemičitého pomocí metod AFM a XPS. Je také studií selektivního růstu kobaltu na mřížkách vytvořených ...
  • Studium morfologie velmi tenkých vrstev XPS analýzou více spektrálních čar jednoho prvku 

    Pokorný, David
    Tato diplomová práce se zabývá metodologií určení tloušťky tenké vrstvy pomocí rentgenového záření stříbrné anody, která poskytuje záření o energii 2984,3 eV. Tato, oproti standardní hliníkové anodě, přibližně dvojnásobná ...
  • Studium růstu ultratenkých vrstev Au 

    Beránek, Jiří
    Obsahem této práce je studium růstu ultratenkých vrstev zlata. Vrstvy byly připraveny metodou molekolární svazkové epitaxe (Molecular beam epitaxy - MBE) v podmínkách ultravysokého vakua na různě modifikované křemíkové ...