Kvantitativní mapování dopantu v polovodiči pomocí kontrastu injektovanéhonáboje v rastrovacím mikroskopu s velmi pomalými elektrony
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract
Tato diplomová práce se zabývá studiem mechanismu kontrastu injektovaného náboje v dopovaném polovodiči pomocí ultravysokovakuového nízkoenergiového rastrovacího elektronového mikroskopu. Cílem této práce bylo vysvětlit mechanismus kontrastu injektovaného náboje, jeho schopnost mapovat plošnou hustotu dopantu a identifikovat faktory, které ho ovlivňují.
This master's thesis deals with study of the injected charge contrast mechanism of doped semiconductors by using the ultra – high vacuum scanning low electron energy microscope (UHV SLEEM). The aims of this work were to explain the injected charge contrast mechanism, to ability of this contrast mechanism to map the dopant density quantitatively and to identify the influencing factors.
This master's thesis deals with study of the injected charge contrast mechanism of doped semiconductors by using the ultra – high vacuum scanning low electron energy microscope (UHV SLEEM). The aims of this work were to explain the injected charge contrast mechanism, to ability of this contrast mechanism to map the dopant density quantitatively and to identify the influencing factors.
Description
Citation
MIKMEKOVÁ, Š. Kvantitativní mapování dopantu v polovodiči pomocí kontrastu injektovanéhonáboje v rastrovacím mikroskopu s velmi pomalými elektrony [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2009.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Materiálové inženýrství
Comittee
prof. Ing. Jiří Švejcar, CSc. (předseda)
prof. Ing. Tomáš Podrábský, CSc. (místopředseda)
prof. Ing. Rudolf Foret, CSc. (člen)
doc. Ing. Eva Münsterová, CSc. (člen)
prof. Ing. Ivo Dlouhý, CSc. (člen)
prof. RNDr. Karel Maca, Dr. (člen)
prof. Ing. Karel Hrbáček, DrSc. (člen)
Date of acceptance
2009-06-16
Defence
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení