Diagnostika vlastností polovodičových materiálů
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Tato práce se zabývá popisem základních vlastností polovodičových materiálů a metodami měření vlastností polovodiče. V první části práce jsou rozebrány elementární polovodiče, polovodičové sloučeniny a pásová struktura. V další části je popsáno vedení proudu v polovodičích, metody měření rezistivity. Práce je zaměřena na měření driftové pohyblivosti minoritních nosičů náboje pomocí metody Haynes-Shockley pro křemíkový vzorek polovodiče, vytvoření automatizovaného pracoviště ve vývojovém prostředí VEE Pro a měření rezistivity křemíkových vzorků.
This thesis describes the basic properties of semiconductor materials and methods of their measuring. In the first part of this work are discussed elemental semiconductors, semiconductor compounds and the band structure. The next section describes current conduction in semiconductors, methods for measuring resistivity. This work is focused on the measuring drift mobility of minority charge carriers using the Haynes-Shockley method for a sample of silicon semiconductor, the creation of automated workplace in the development environment VEE Pro and resistivity measurements of silicon samples.
This thesis describes the basic properties of semiconductor materials and methods of their measuring. In the first part of this work are discussed elemental semiconductors, semiconductor compounds and the band structure. The next section describes current conduction in semiconductors, methods for measuring resistivity. This work is focused on the measuring drift mobility of minority charge carriers using the Haynes-Shockley method for a sample of silicon semiconductor, the creation of automated workplace in the development environment VEE Pro and resistivity measurements of silicon samples.
Description
Citation
ŠELIGA, L. Diagnostika vlastností polovodičových materiálů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2012.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Mikroelektronika a technologie
Comittee
prof. Ing. Karel Bartušek, DrSc. (předseda)
doc. Ing. Jiří Vaněk, Ph.D. (místopředseda)
Ing. Bohuslav Res, CSc. (člen)
Ing. Zdenka Rozsívalová (člen)
Ing. Martin Adámek, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2012-06-11
Defence
Student seznámil státní zkušební komisi s cíli a řešením své bakalářské práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta.
Otázky u obhajoby:
Kde je hranice mezi oblastmi I. a II. při jaké intenzitě E v gafu závislosti pohyblivosti nosičů na intenzitě el. pole?
Fyzikální rozdíl mezi příměsovými polovodiči?
Která část patří do oblasti vlastního polovodiče v grafu závisloti vodivosti na teplotě?
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení