Počítačový model tranzistoru FET

Loading...
Thumbnail Image
Date
ORCID
Mark
D
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Práce pojednává o tranzistorech FET, základních principech jejich fungování a vlastnostech. Zabývá se především simulováním tranzistorů MOSFET v programu FEMLAB. Dále se zabývá optimalizací parametrů simulovaného modelu tranzistoru s cílem dosáhnout shody jeho parametrů s parametry tranzistorů skutečných. K tomuto účelu je v programu MATLAB vytvořen optimalizační algoritmus. Tento algoritmus je založen na optimalizační metodě roje částic.
The project deals with FET transistors, basic principles of their operation and their properties. The project is dominantly focused on modeling FET transistors in FEMLAB. The project describes the optimization of the model of the simulated transistor. The optimization is aimed to reach the match between the model of the transistor and parameters of real transistors. The optimization algorithm is programmed in MATLAB. This algorithm is based on the particle swarm method.
Description
Citation
KAUPA, P. Počítačový model tranzistoru FET [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2009.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Elektronika a sdělovací technika
Comittee
prof. Dr. Ing. Zbyněk Raida (předseda) doc. Ing. Jiří Šebesta, Ph.D. (místopředseda) doc. Ing. Jana Kolářová, Ph.D. (člen) doc. Ing. Jaroslav Láčík, Ph.D. (člen) Doc. Ing. Josef Dobeš, CSc. (člen) Ing. Luděk Závodný, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2009-06-15
Defence
Student prezentuje výsledky a postupy řešení své bakalářské práce. Následně odpovídá na dotazy vedoucího a oponenta práce a na dotazy členů zkušební komise.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení
DOI
Collections
Citace PRO