• čeština
    • English
    • русский
    • Deutsch
    • français
    • polski
    • українська
  • čeština 
    • čeština
    • English
    • русский
    • Deutsch
    • français
    • polski
    • українська
  • Login
View Item 
  •   Repository Home
  • Závěrečné práce
  • diplomové práce
  • Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
  • 2010
  • View Item
  •   Repository Home
  • Závěrečné práce
  • diplomové práce
  • Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
  • 2010
  • View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Omezení defektů v Si substrátech metodou rychlých tepelných procesů

Elimination of defects in Si substrates by Rapid Thermal Process application

Thumbnail
View/Open
review_31735.html (7.470Kb)
final-thesis.pdf (1.992Mb)
Author
Frantík, Ondřej
Advisor
Szendiuch, Ivan
Referee
Hégr, Ondřej
Grade
A
Altmetrics
Metadata
Show full item record
Abstract
Nízká cena, rychlé dosažení vysokých teplot IR ohřevem, rychlé chlazení a vysoká efektivita, to jsou vlastnosti RTP (rychlé tepelné procesy). RTP se využívá pro žíhání, difúzi, kontaktování, oxidaci a další. Rychlá změna teploty a IR ohřev může být následován pozitivními efekty v křemíkových substrátech. Tato práce je zaměřena na žíhání pomocí RTP. Byl použit p-typový monokrystalický CZ křemík s rozdílnou objemovou dobou života minoritních nosičů. Doba života minoritních nosičů byla měřena MW-PCD (mikrovlnná fotovodivá detekce) před a po procesu ohřevu.
 
Low cost, rapid and high thermal by IR heating, rapid cooling and high efficiency, there are RTP (Rapid Thermal Processing) properties. We can use RTP for annealing, diffusion, contacting, oxidation and others. Rapid temperature change and IR heating can be followed positive effects in the silicon substrate. This paper is focused on annealing by RTP. Wafers were p-type monocrystalline CZ silicon with different bulk minority carrier lifetime. Minority carrier lifetime was measured by MW-PCD (Microwave Photoconductance Decay) before and after thermal processing.
 
Keywords
Rychlé tepelné procesy, rychlé tepelné žíhání, doba života minoritních nosičů, křemík, křemíkové substráty., Rapid Thermal Process, Rapid Thermal Annealing, Minority carrier lifetime, Silicon, Si substrate.
Language
čeština (Czech)
Study brunch
Mikroelektronika
Composition of Committee
prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc. (předseda) RNDr. Ladislav Mareček, CSc. (místopředseda) Ing. Roman Prokop, Ph.D. (člen) Ing. Martin Adámek, Ph.D. (člen) doc. Ing. Jiří Vaněk, Ph.D. (člen)
Date of defence
2010-06-08
Process of defence
Student seznámil komisi s obsahem diplomové práce a odpověděl na její otázky
Result of the defence
práce byla úspěšně obhájena
Persistent identifier
http://hdl.handle.net/11012/17123
Source
FRANTÍK, O. Omezení defektů v Si substrátech metodou rychlých tepelných procesů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2010.
Collections
  • 2010 [507]
Citace PRO

Portal of libraries | Central library on Facebook
DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Contact Us | Send Feedback | Theme by @mire NV
 

 

Browse

All of repositoryCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjects

My Account

LoginRegister

Statistics

View Usage Statistics

Portal of libraries | Central library on Facebook
DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Contact Us | Send Feedback | Theme by @mire NV