Vývoj atomárních a iontových svazkových zdrojů
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
B
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract
Práce se zabývá problematikou tvorby iontových svazků. Je zde popsán vliv iontové optiky na formování svazku a růst ultratenkých vrstev GaN, jakož i optimalizace zdroje k depozici a měření vlastností iontového svazku. V rámci práce byly provedeny depozice GaN ultratenkých vrstev na substrát Si(111)dH za pokojové teploty pro různá nastavení elektrických potenciálů na elektrodách iontově-atomárního zdroje.
This text is oriented for problems of creating ion beams. Thesis also describe the impact of ion optics to ion beam profile and preparing GaN layers. Also ion-atom source optimization and analysis of beam properties are there described. Also it was made deposition of GaN ultrathin layers on Si(111)dH at room temperature for different settings of atom-ion source electric electrodes.
This text is oriented for problems of creating ion beams. Thesis also describe the impact of ion optics to ion beam profile and preparing GaN layers. Also ion-atom source optimization and analysis of beam properties are there described. Also it was made deposition of GaN ultrathin layers on Si(111)dH at room temperature for different settings of atom-ion source electric electrodes.
Description
Citation
TIHLAŘÍK, J. Vývoj atomárních a iontových svazkových zdrojů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2010.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Fyzikální inženýrství a nanotechnologie
Comittee
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda)
prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda)
prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen)
doc. RNDr. Josef Kuběna, CSc. (člen)
prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen)
prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen)
prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen)
prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen)
RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)
Date of acceptance
2010-06-17
Defence
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení