• čeština
    • English
    • русский
    • Deutsch
    • français
    • polski
    • українська
  • English 
    • čeština
    • English
    • русский
    • Deutsch
    • français
    • polski
    • українська
  • Login
View Item 
  •   Repository Home
  • Závěrečné práce
  • dizertační práce
  • Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
  • 2022
  • View Item
  •   Repository Home
  • Závěrečné práce
  • dizertační práce
  • Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
  • 2022
  • View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Srovnání a optimalizace topologií pro DC/DC konverzi energie s použitím technologie GaN FET pro měniče s vysokou účinností a objemovou hustotou výkonu

Comparison and Optimization of DC/DC Power Conversion Topologies Using GaN FET Technology for High Efficiency and Power Density Power Converters

Thumbnail
View/Open
review_137332.html (3.253Kb)
final-thesis.pdf (6.636Mb)
appendix-1.zip (12.50Mb)
thesis-1.pdf (2.748Mb)
Posudek-Oponent prace-posudek oponenta doc. Drabek_disertace Ing. Sir.pdf (1.523Mb)
Posudek-Oponent prace-posudek oponenta prof. Lettl_disertace Ing. Sir.pdf (151.1Kb)
Author
Šír, Michal
Advisor
Vorel, Pavel
Referee
Drábek,, Pavel
Lettl, Jiří
Grade
P
Altmetrics
Metadata
Show full item record
Abstract
Táto práca je zameraná na analýzu súčastného stavu GaN polovodičovej techniky vo výkonovej elektronike a jej aplikáciu v DC/DC meničoch, optimalizovaných na účinnosť a vysokú objemovú hustotu výkonu s cielom použitia v serveroch a telekomunikačných zariadeniach. Teoretická časť analyzuje problémy a výzvy spojené s novou technológiou GaN, ako napríklad riadenie hradla pre rôzne vnútorné štruktúry dostupné na trhu, optimalizácia plošných spojov pre chladenie minimalizovaných púzdier pre povrchovú montáž s cielom minimalizovať parazitné prvky. V práci je zahrnutý presný výpočet strát pre aktívny usmerňovač realizovaný pomocou novej technológie GaN. Výsledky a nápady získané teoretickou analýzou rôznych problémov sú aplikované pri návrhu prototypu a overené sériou meraní, ktoré dokazujú výhody novej technológie a jej potenciál ovplyvniť aplikácie výkonovej elektroniky okolo nás. Zahrnutý je podrobný popis merania prúdu s veľkou šírkou pásma, fungovania regulačnej slučky a jej implementácie v digitálnom signálnom procesore.
 
Focus of this thesis is the analysis of the current state of GaN semiconductor technology in power electronics and its application on DC/DC converter, optimized for high efficiency and high power density with the intention to use it in server and telecom applications. The theoretical part analyzes problems and challenges related to novel GaN technology, such as gate driving for various internal structures, layout optimization for cooling of minimized surface mount packages without constraining parasitic elements affecting switching performance. Precise losses calculation for totem-pole power factor correction converter using novel GaN technology is included. Results and ideas resulting from theoretical analysis of various problems are applied in the design of prototype and verified by series of measurements, proving the benefits of novel technology and its potential to impact power electronics applications around us. Deep description of current measurement technique with high bandwidth, control loop operation and its implementation in digital signal processor is included.
 
Keywords
GaN polovodiče, Chladenie minimalizovaných púzdier pre povrchovú montáž, Nová metóda merania dynamického RDSon, Dynamický RDSon, Vysoko účinný menič s GaN, Gallium Nitride semiconductors, Cooling of minimized surface mount devices, Novel RDSon Measurement method, Dynamic RDSon, High Efficiency GaN half bridge, GaN Totem Pole converter
Language
angličtina (English)
Study brunch
bez specializace
Composition of Committee
prof. RNDr. Vladimír Aubrecht, CSc. (předseda) doc. Ing. Ondřej Vítek, Ph.D. (člen) doc. Ing. Radoslav Cipín, Ph.D. (člen) doc. Ing. Petr Baxant, Ph.D. (člen) Ing. Zdeněk Wolf (člen) doc. Ing. Pavel Drábek, Ph.D. - oponent (člen) prof. Ing. Jiří Lettl, CSc. - oponent (člen)
Date of defence
2022-03-16
Process of defence
Obhajoba proběhla hybridní formou, kdy jeden z členů komise (oponent) byl připojen dálkově pomocí MS Teams. Průběh obhajoby byl nahráván, záznam je uložen na vědeckém oddělení. Online formou proběhlo i anonymní hlasování pomocí nástroje ADoodle. Protokol o hlasování je součástí zprávy o obhajobě. V rámci obhajoby doktorand seznámil komisi s výsledky své disertační práce, včetně vlastních přínosů. Po skončení prezentace doktoranda jeho školitel seznámil přítomné se svým hodnocením celého průběhu studia. Následovala diskuse k dotazům a připomínkám oponentů. Poté ve veřejné diskusi vystoupili s dotazy/připomínkami k disertační práci prof. Aubrecht, doc. Baxant, Ing. Wolf, prof. Lettl. Písemný záznam dotazů je přílohou protokolu. Všechny dotazy oponentů i v rámci veřejné diskuse byly doktorandem správně vypořádány. V neveřejné diskusi a po tajném hlasování komise konstatovala, že doktorand splnil podmínky par. 47 odst. 4 Zákona o vysokých školách č. 111/98 a lze mu tedy udělit titul doktor - Ph.D.
Result of the defence
práce byla úspěšně obhájena
Persistent identifier
http://hdl.handle.net/11012/203991
Source
ŠÍR, M. Srovnání a optimalizace topologií pro DC/DC konverzi energie s použitím technologie GaN FET pro měniče s vysokou účinností a objemovou hustotou výkonu [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2022.
Collections
  • 2022 [30]
Citace PRO

Portal of libraries | Central library on Facebook
DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Contact Us | Send Feedback | Theme by @mire NV
 

 

Browse

All of repositoryCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjects

My Account

LoginRegister

Statistics

View Usage Statistics

Portal of libraries | Central library on Facebook
DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Contact Us | Send Feedback | Theme by @mire NV