Vytváření trenčů o submikronové šířce pro moderní výkonové součástky

Abstract

Tato diplomová práce je zaměřena na optimalizaci procesu fotolitografie při výrobě polovodičových výkonových součástek. V úvodu je popsán přechod kov-polovodič a s ním související příkopová Schottkyho dioda. Následně je uveden popis dílčích kroků procesu fotolitografie, který tvoří teoretický základ pro testování parametrů fotolitografie. Cílem diplomové práce je optimalizace nastavení procesu fotolitografie pro výrobu trenčů o šířce pod 0,5 µm a její ověření v rámci výrobního bloku struktury trenčů. Práce probíhala ve spolupráci s firmou ON Semiconductor Czech Republic, s.r.o. v Rožnově pod Radhoštěm.

This diploma thesis focuses on the optimization of photolithography process in the production of semiconductor devices. It contains theoretical basis of step by step photolithography process on a silicon substrate. It also describes metal-semiconductor contact and Trench Schottky Rectifier. The main goal of this thesis is design and optimization settings of photolithography process for the formation of trenches with a width of less than 0,5 µm. The new photolithography setup was verified across manufacturing process of trenches. The work was carried out in cooperation with ON Semiconductor Czech Republic, s.r.o. in Roznov pod Radhostem.