Budicí obvody výkonového tranzistoru SiC MOSFET

Vitek, Vojtech

Drivers for power SiC MOSFET transistors

Grade

Altmetrics

Metadata

Show full item record

Abstract

Bakalárska práca opisuje princípy budenia výkonových tranzistorov MOSFET z materiálu karbid kremíka SiC. Cieľom je podrobne opísať jednotlivé typy budenia a základné zásady pri navrhovaní budičov. Praktickou časťou práce je osadenie dosky plošných spojov budiča navrhnutého na UVEE FEKT VUT Brno a overenie jeho činnosti .

The bachelor thesis describes gate driving principles of power MOSFET transistors made of silicon carbide material. The autor's aim is describing a different types of gate drivers and basic rules during process of designing gate drivers. In the theoretical part, the author will mount printed circuit board of gate driver designed on UVEE FEKT VUT Brno and verify functionality.

Keywords

budič, tranzistor, MOSFET, karbid kremíka, gate driver, transistor, MOSFET, silicon carbide

Language

čeština (Czech)

Study brunch

Silnoproudá elektrotechnika a elektroenergetika

Composition of Committee

doc. Dr. Ing. Miroslav Patočka (předseda) doc. Ing. Ondřej Vítek, Ph.D. (místopředseda) Ing. Dalibor Červinka, Ph.D. (člen) doc. Ing. Pavel Vorel, Ph.D. (člen) Ing. Petr Huták, Ph.D. (člen) Ing. Petr Procházka, Ph.D. (člen) Ing. Josef Šunka, Ph.D. (člen)

Date of defence

2013-06-17

Process of defence

Obhajoba práce je na slušné úrovni, prezentace je logicky členěna. Student se vyjadřuje srozumitelně a svoje téma pěkně vysvětluje. Všechny otázky (oponenta i v diskuzi) byly odpovězeny. Práce je komisí celkově hodnocena výborně.

Result of the defence

práce byla úspěšně obhájena

Persistent identifier

http://hdl.handle.net/11012/24839

Source

VITEK, V. Budicí obvody výkonového tranzistoru SiC MOSFET [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2013.

Collections

2013 [492]