• čeština
    • English
    • русский
    • Deutsch
    • français
    • polski
    • українська
  • English 
    • čeština
    • English
    • русский
    • Deutsch
    • français
    • polski
    • українська
  • Login
View Item 
  •   Repository Home
  • Závěrečné práce
  • bakalářské práce
  • Fakulta strojního inženýrství
  • 2015
  • View Item
  •   Repository Home
  • Závěrečné práce
  • bakalářské práce
  • Fakulta strojního inženýrství
  • 2015
  • View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Příprava a charakterizace tenkých vrstev MoS2

Preparation and characterization of MoS2 thin films

Thumbnail
View/Open
final-thesis.pdf (6.367Mb)
review_84040.html (8.603Kb)
Author
Tomková, Renáta
Advisor
Bartoš, Miroslav
Referee
Zahradníček, Radim
Grade
D
Altmetrics
Metadata
Show full item record
Abstract
Tato bakalářská práce pojednává o topologických izolátorech, které jsou popisovány pomocí kvantového spinového Hallova jevu, dále o polovodičích, kde je vysvětlena pásová struktura v polovodičích a podrobněji zmíněn unipolární tranzistor MOSFET. V práci jsou zmíněny především 2D materiály a to zejména MoS2. Téma se zaměřuje na jeho strukturu, elektrické vlastnosti, využití a přípravu pomocí mikromechanické exfoliace. V poslední kapitole této práce je popsána jak příprava struktur MoS2, tak jejich analýza. Strukturní vlastnosti tohoto materiálu byly měřeny metodou AFM a Ramanovou spektroskopií. V experimentální části jsou názorné fotografie MoS2 pořízené z optického mikroskopu a prostorové mapy struktury vytvořené metodou AFM.
 
This thesis deals with topological insulators, which are described by the quantum spin Hall effect, as well as on semiconductors, where the band structure of semiconductors and more specifically mentioned unipolar transistor MOSFET is explained. There are also mentioned primarily 2D materials and in particular of MoS2. Topic focuses on its structure, the electric properties, the use and preparation by using micromechanical exfoliation. In the last chapter it is described how to prepare MoS2 structures and their analysis. Structural properties of this material were measured by the AFM and Raman spectroscopy. The experimental part there are illustrative photograph of MoS2 taken with an optical microscope and spatial structures created by AFM.
 
Keywords
MoS2, polovodiče, topologické izolátory, 2D sturktury, exfoliace, Ramanova spektroskopie, MoS2, semiconductors, topological insulators, 2D structures, exfoliation, Raman spectroscopy.
Language
čeština (Czech)
Study brunch
Fyzikální inženýrství a nanotechnologie
Composition of Committee
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)
Date of defence
2015-06-25
Process of defence
Result of the defence
práce byla úspěšně obhájena
Persistent identifier
http://hdl.handle.net/11012/41207
Source
TOMKOVÁ, R. Příprava a charakterizace tenkých vrstev MoS2 [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2015.
Collections
  • 2015 [578]
Citace PRO

Portal of libraries | Central library on Facebook
DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Contact Us | Send Feedback | Theme by @mire NV
 

 

Browse

All of repositoryCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjects

My Account

LoginRegister

Statistics

View Usage Statistics

Portal of libraries | Central library on Facebook
DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Contact Us | Send Feedback | Theme by @mire NV