Příprava grafenových vzorků pro experimenty v UHV podmínkách

Abstract

Tato bakalářská práce pojednává o elektrické vodivosti grafenu a přípravě grafenového polem řízeného tranzistoru. Teoretická část popisuje elektrické vlastnosti grafenu, jeho přípravu pomocí metody CVD a přenos na SiO_2. Experimentální část této práce se zabývá přípravou grafenového polem řízeného tranzistoru s velkou vzdáleností elektrod. Kapitola se věnuje návrhu držáku vzorku a přivedením kontaktů v UHV podmínkách. Poslední část popisuje naměření závislosti vodivosti grafenové vrstvy na hradlovém napětí se zřetelem na polohu Diracova bodu při úpravě vzorku v UHV podmínkách.

This bachelor thesis deals with electrical conductivity of a graphene sample and preparation of a graphene field-effect transistor. In the theoretical part of the thesis, we describe electronic properties of graphene, preparation of graphene by CVD and its transfer to SiO_2. Experimental part of this thesis is focused on the preparation of a graphene field-effect transistor with long distance between Source and Drain electrodes. Thesis deals with a design of a chip expander for contact of graphene in UHV conditions. The last part describes measurement of dependency of graphene layer conductivity on the gate voltage with emphasis on the position of Dirac point during adjustments of the sample in UHV conditions.