Měření lokálních charakteristik paasivních elektrických součástek
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Bakalářská práce je zaměřena na nově koncipované lokální měření charakteristik elektrických, případně optoelektrických součástek. S tím, jak se dle Moorova zákona zmenšují rozměry aktivních součástek na čipech, existují i snahy o odpovídající zmenšování pasivních elektrických součástek, při současném zvyšování, nebo alespoň zachování jejich parametrů. Ukazuje se, že problémy zmenšování jsou spojeny s existencí fyzikálních mezí použitých materiálů a konec konců i s nemožností měření lokálních vlastností součástek pomocí klasických elektrických měřicích metod. Právě v oblasti fyzikálních mezí začínají být vážným problémem defekty v materiálech, které při malých rozměrech součástek mohou značně ovlivnit účinnost, výkon, životnost a spolehlivost zařízení. Měření provedená na pasivních i aktivních součástkách vykazují vyšší rozlišovací schopnost defektů na povrchu vybraných součástek než umožňují stávající metody. 1) Z výsledků měření na kondenzátorech vyplývá, že existuje několik možných příčin, proč u nich dochází k průrazům, např. mechanické defekty, nebo přítomnost nečistoty či krystaly oxidu v dielektriku. 2) Měření provedená na fotodiodě umožnila zviditelnit proud minoritních nosičů a zobrazit jejich dobu života. Navíc se ukazuje, že doba života minoritních nosičů pochází hlavně z objemová rekombinace.
Bachelor thesis is focused on the newly conceived local measurement of electrical or photoelectric devices characteristics. According to Moore's law dimensions of active components on the chips diminish. Therefore effort to obtain corresponding reduction of passive electrical components, while improving, or at least maintain their parameters, is also challenged. It turns out that the problems associated with device reducing are connected with existence of physical limits of materials, and ultimately with the impossibility to measure local properties of electrical components using conventional electric methods. Especially in the range of physical limits, a serious problem of defects in materials appears. Due to that the small size components can greatly affect the efficiency, performance, durability and reliability of devices. Measurements made on the passive and active components show a higher resolution of defects on the surface of selected parts than current methods allow. 1) It follows from the results of measurement on capacitors that there are several possible reasons why breakdowns occur, e.g. mechanical defects or the presence of impurities and/ or oxide crystals in the dielectric. 2) Measurements taken at a photodiode allowed visualize minority carriers current, and view their lifetime. Moreover, they also show that the minority carrier lifetime comes mainly from bulk recombination.
Bachelor thesis is focused on the newly conceived local measurement of electrical or photoelectric devices characteristics. According to Moore's law dimensions of active components on the chips diminish. Therefore effort to obtain corresponding reduction of passive electrical components, while improving, or at least maintain their parameters, is also challenged. It turns out that the problems associated with device reducing are connected with existence of physical limits of materials, and ultimately with the impossibility to measure local properties of electrical components using conventional electric methods. Especially in the range of physical limits, a serious problem of defects in materials appears. Due to that the small size components can greatly affect the efficiency, performance, durability and reliability of devices. Measurements made on the passive and active components show a higher resolution of defects on the surface of selected parts than current methods allow. 1) It follows from the results of measurement on capacitors that there are several possible reasons why breakdowns occur, e.g. mechanical defects or the presence of impurities and/ or oxide crystals in the dielectric. 2) Measurements taken at a photodiode allowed visualize minority carriers current, and view their lifetime. Moreover, they also show that the minority carrier lifetime comes mainly from bulk recombination.
Description
Citation
ŠIKULA, R. Měření lokálních charakteristik paasivních elektrických součástek [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2011.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Teleinformatika
Comittee
doc. Ing. Vít Novotný, Ph.D. (předseda)
doc. Ing. Karol Molnár, Ph.D. (místopředseda)
Ing. Jiří Přinosil, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Jiří Hošek, Ph.D. (člen)
Ing. Jan Karásek, Ph.D. (člen)
Ing. Martin Sýkora (člen)
Ing. Vít Daněček (člen)
Date of acceptance
2011-06-14
Defence
Důkladněji ilustrujte, které místo se na zkoumaném kondenzátoru pozorovalo a proč právě tato část.
Jak bylo ověřeno, že se kondenzátor skutečně prorazil na předpokládaném místě (prohlubně na obr. 5.3)?
Jak se provádí měření doby života minoritních nosičů?
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení