Návrh Rail-to-Rail proudového konvejoru v technologii CMOS

Loading...
Thumbnail Image
Date
ORCID
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Diplomová práca sa zaoberá návrhom rail-to-rail prúdového konvejora druhej generácie v technológii CMOS. Opisuje princípy funkcie jednotlivých generácii prúdových konvejorov a taktiež základný princíp návrhu prúdového konvejora druhej generácie založeného na operačnom zosilňovači. Venuje sa obvodovému riešeniu vstupného rail-to-rail stupňa a koncového stupňa v triede AB. Cieľom tejto práce je navrhnúť, charakterizovať vlastnosti a vytvoriť topológiu prúdového konvejora druhej generácie s rail-to-rail vstupným súhlasným napäťovým rozsahom v technológii ONSemi I3T25.
Master’s thesis deals with design of rail-to-rail second generation current conveyor in CMOS technology. Describes principles of function of different generations of current conveyors, as well as the basic principle of design of second generation current conveyor based on operational amplifier. Addresses circuit topology of input rail-to-rail stage and class AB output stage. The objective of this thesis is to design, characterize performance and create layout of second generation current conveyor with input common mode voltage rail-to-rail capability in ONSemi I3T25 technology.
Description
Citation
HUDZIK, M. Návrh Rail-to-Rail proudového konvejoru v technologii CMOS [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2016.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Mikroelektronika
Comittee
doc. Ing. Jiří Háze, Ph.D. (předseda) doc. Ing. Jan Maschke, CSc. (místopředseda) doc. Ing. Radek Kuchta, Ph.D. (člen) doc. Ing. Jaroslav Kadlec, Ph.D. (člen) Ing. Marek Bohrn, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2016-06-07
Defence
Student seznámil komisi s řešením své diplomové práce. otázka oponenta: V kapitole 3.3 – regulace transkonduktance vstupního bloku máte výsledky pro obvody, kde se u tranzistorů neprojeví bulk efekt. Ve vlastním návrhu (obr. 6.5) však k bulk efektu dochází. Jak se změní charakteristiky z kapitoly 3.3 pro obvod s bulk efektem? Má bulk efekt vliv například na minimální napájecí napětí nebo napěťovou nesymetrii diferenčního páru?
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení
DOI
Collections
Citace PRO