Depozice Ga a GaN nanostruktur na vodíkem modifikovaný grafenový substrát
Deposition of Ga and GaN nanostructures on graphene substrate treated by atomic hydrogen
Author
Advisor
Mach, JindřichReferee
Váňa, RostislavGrade
AAltmetrics
Metadata
Show full item recordAbstract
V tejto práci sme sa venovali štúdiu gália na graféne. Depozície Ga boli vykonané použitím Molekulárnej zväzkovej epitaxie. Pozorovali sme Ramanovo zosilnenie a posun píkov spôsobený individuálnymi Ga ostrovčekmi. Simulácia potvrdila náš predpoklad, že zosilnenie je plazmonickej povahy, ktorá je zároveň hlavným mechanizmom Povrchovo-zosilnenej Ramanovej spektroskopie. Ďalším výsledkom je hydrogenácia grafénu pred Ga depozíciou má vplyv na štruktúru vzorky po depozícii a znižuje difúznu dĺžku atómov Ga. In this work we studied gallium on graphene. Depositions were done by Molecular beam epitaxy. We observed Raman enhancement and peak shifts by individual Ga islands. Simulation confirmed our assumption, that the enhancement is based on plasmonics effect that is also the main contribution of Surface-enhanced Raman spectroscopy. Another result is hydrogenation of graphene before deposition does have an effect on Ga structure and reduces diffusion length of Ga atoms.
Keywords
Ramanovo zosilnenie, SERS, gálium, grafén, molekulová zväzková epitaxia, Raman enhancement, SERS, gallium, graphene, molecular beam epitaxyLanguage
čeština (Czech)Study brunch
Fyzikální inženýrství a nanotechnologieComposition of Committee
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) prof. RNDr. Eduard Schmidt, CSc. (člen)Date of defence
2016-06-20Process of defence
Result of the defence
práce byla úspěšně obhájenaPersistent identifier
http://hdl.handle.net/11012/60772Source
BÁRDY, S. Depozice Ga a GaN nanostruktur na vodíkem modifikovaný grafenový substrát [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2016.Collections
- 2016 [439]