Show simple item record

Luminescence of semiconductors studied by scanning near-field optical microscopy

dc.contributor.advisorKřápek, Vlastimilcs
dc.contributor.authorTěšík, Jancs
dc.date.accessioned2019-04-03T22:07:38Z
dc.date.available2019-04-03T22:07:38Z
dc.date.created2017cs
dc.identifier.citationTĚŠÍK, J. Luminiscence polovodičů studovaná rastrovací optickou mikroskopií v blízkém poli [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2017.cs
dc.identifier.other101429cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/67991
dc.description.abstractPráce je zaměřena na studium luminiscence atomárně tenkých vrstev chalkogenidů přechodných kovů (např. sulfid molybdeničitý MoS2). V experimentální části se věnuje připravě atomárně tenké vrstvy polovodivých chalkogenidů a následné tvorbě plazmonových interferenčních struktur okolo těchto vrstev. Při osvitu interferenční struktury v ní dojde k vytvoření stojaté plazmonové vlny, která budí fotoluminiscenci polovodiče. Fotoluminiscence byla studována jednak pomocí spektroskopie ve vzdáleném poli, jednak pomocí optické mikroskopie v blízkém poli.cs
dc.description.abstractThis work is focused on the study of luminescence of atomic thin layers of transition metal chalkogenides (eg. MoS2). In the experimental part, the work deals with the preparation of atomic thin layers of semiconducting chalcogenides and the subsequent manufacturing of plasmonic interference structures around these layers. The illumination of the interference structure will create a standing plasmonic wave that will excite the photoluminescence of the semiconductor. Photoluminescence was studied both by far-field spectroscopy and near-field optical microscopy.en
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrstvícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectfotoluminiscencecs
dc.subjectdichalkogenidy přechodných kovů (TMD)cs
dc.subjectsulfid molybdeničitý (MoS2)cs
dc.subjectdvojdimenzioální materiálycs
dc.subjectSNOMcs
dc.subjectRamanova spektroskopiecs
dc.subjectoptická mikroskopiecs
dc.subjectPhotoluminescenceen
dc.subjectTransition metal dichalcogenides (TMD)en
dc.subjectMolybdenum disulfide (MoS2)en
dc.subject2D materialsen
dc.subjectSNOMen
dc.subjectRaman spectroscopyen
dc.subjectoptical microscopyen
dc.titleLuminiscence polovodičů studovaná rastrovací optickou mikroskopií v blízkém polics
dc.title.alternativeLuminescence of semiconductors studied by scanning near-field optical microscopyen
dc.typeTextcs
dcterms.dateAccepted2017-06-20cs
dcterms.modified2017-06-21-09:23:40cs
thesis.disciplineFyzikální inženýrství a nanotechnologiecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrstvícs
thesis.levelInženýrskýcs
thesis.nameIng.cs
sync.item.dbid101429en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2019.06.21 10:40:18en
sync.item.modts2019.05.18 12:20:37en
dc.contributor.refereeKlapetek, Petrcs
dc.description.markBcs
dc.type.drivermasterThesisen
dc.type.evskpdiplomová prácecs


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record