Měření transportních vlastností grafenu

Abstract

Pro použití grafenu v elektronice je nutné vytvořit velké plochy grafenu vysoké kva- lity, k čemuž se využívá chemická depozice z plynné fáze (CVD). Kvalitu grafenové folie určuje pohyblivost nosičů náboje, protože je nepřímo úměrná počtu defektů grafenu, čehož bylo využito v této bakalářské práci. Byly vyrobeny vzorky s CVD grafenem pro měření transportních vlastností metodami van der Pauw a Hall bar. Grafen byl na vzorky přenesen dvěma metodami, pomocí roztoku dusičnanu železitého nebo pomocí elektrolytické delaminace. Bylo zjištěno vysoké p-dotování měřeného grafenu. U vzorku s přeneseným grafenem pomocí elektrolytické delaminace byla pozorována vysoká mo- bilita nosičů náboje a Diracův bod byl nalezen díky sníženému p-dotování.

In order to create electronic devices utilizing graphene, it is necessary to manu- facture large sheets of high quality graphene which can be achieved by chemical vapor deposition (CVD). Mobility plays an important role in determining quality of graphene sheet because it is inversely proportional to concentration of defects. In this work, CVD graphene samples were fabricated, and their transport properties were characterized by van der Pauw and Hall bar methods. Graphene was transferred to samples either by using Fe(NO3)3 solution or via electrolytic delamination process. Both methods yiel- ded highly p-doped graphene. The electrolytic delamination transfer process resulted in a higher mobility of the graphene sheet and the Dirac point was observed due to a significant doping decrease.