Low-frequency noise measurements used for quality assessment of GaSb based laser diodes prepared by molecular beam epitaxy

Nízkofrekvenční šumová měření pro určení kvality GaSb laserových diod připravených epitaxním narůstáním

Thumbnail
View/Open
Date
2015-08-01
Author
Altmetrics
10.2478/jee-2015-0036
Metadata
Show full item record
Abstract
The paper reports on a non-destructive method of reliability prediction for semiconductor lasers diodes GaSb based VCSE. Transport and noise characteristic of forward biased were measured in order to evaluate the new MBE technology.
 
Článek popisuje nedestruktivní testování pro určení kavality a spolehlivosti polovodičových diod GaSb vyrobených na zkladě VCSE. Byly měřeny proudové a šumové charakteristiky v propustném směru pro vzorky vyvinuté novou MBE technologií.
 
Keywords
molecular beam epitaxy, excess noise, lasers diodes
Persistent identifier
http://hdl.handle.net/11012/84115
Document type
Peer reviewed
Document version
Final PDF
Source
Journal of Electrical Engineering . 2015, vol. 66, issue 4, p. 226-230.
https://content.sciendo.com/view/journals/jee/66/4/article-p226.xml
DOI
10.2478/jee-2015-0036
Collections
Citace PRO
Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 Unported
Except where otherwise noted, this item's license is described as Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 Unported