• čeština
    • English
    • русский
    • Deutsch
    • français
    • polski
    • українська
  • English 
    • čeština
    • English
    • русский
    • Deutsch
    • français
    • polski
    • українська
  • Login
View Item 
  •   Repository Home
  • Závěrečné práce
  • bakalářské práce
  • Fakulta strojního inženýrství
  • 2012
  • View Item
  •   Repository Home
  • Závěrečné práce
  • bakalářské práce
  • Fakulta strojního inženýrství
  • 2012
  • View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Selektivní růst GaN na modifikovaný substrát metodou FIB

Selective growth of GaN layers on substrate modificated by method FIB

Thumbnail
View/Open
final-thesis.pdf (9.414Mb)
review_51324.html (9.75Kb)
Author
Mareš, Petr
Advisor
Mach, Jindřich
Referee
Voborný, Stanislav
Grade
A
Altmetrics
Metadata
Show full item record
Abstract
Práce se zabývá selektivním růstem krystalů GaN na SiO2. Teoretická část pojednává o charakteru růstu ultratenkých vrstev s důrazem na nitrid gallia a metody jeho přípravy. Teoretická část také obsahuje popis metody fokusovaného iontového svazku a základní principy dalších metod, které byly používány pro analýzu vzorků (AFM, XPS, fotoluminiscenční spektroskopie). Experimentální část se zabývá depozicí GaN na Si(111) s nativní vrstvou oxidu křemíku SiO2 (1-2 nm). Fokusovaným iontovým svazkem byly na substrátu vytvořeny vhodné struktury pro selektivní růst. Selektivního růstu bylo dosaženo pomocí metody postnitridace. Následně práce studuje principy unikátní metody pulzní depozice GaN, zejména ve vztahu k možnosti řízení velikosti krystalů GaN.
 
The thesis deals with the selective growth of GaN crystals on the SiO2 layer. The theoretical part discusses the type of growth of ultrathin layers with focus on gallium nitride and its manufacturing. Moreover the text deals with principles of the focused ion beam and basic principles of other further methods which were used for analyzing the samples (AFM, XPS, photoluminescence spectroscopy). Experimental part consists of depositions of GaN. The silicon wafer Si(111) with native oxide SiO2 (1-2 nm) was used as a substrate. Focused ion beam was utilized to manufacture suitable structures on the substrate. Selective growth was acomplished with the use of the postnitridation method. Method of the pulse deposition was introduced with focus on increasing the volume of crystals.
 
Keywords
GaN, FIB, pulzní depozice, postnitridace, selektivní růst, IBAD., GaN, FIB, pulse deposition, postnitridation, selective growth, IBAD.
Language
čeština (Czech)
Study brunch
Fyzikální inženýrství a nanotechnologie
Composition of Committee
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)
Date of defence
2012-06-19
Process of defence
Result of the defence
práce byla úspěšně obhájena
Persistent identifier
http://hdl.handle.net/11012/9841
Source
MAREŠ, P. Selektivní růst GaN na modifikovaný substrát metodou FIB [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2012.
Collections
  • 2012 [546]
Citace PRO

Portal of libraries | Central library on Facebook
DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Contact Us | Send Feedback | Theme by @mire NV
 

 

Browse

All of repositoryCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjects

My Account

LoginRegister

Statistics

View Usage Statistics

Portal of libraries | Central library on Facebook
DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Contact Us | Send Feedback | Theme by @mire NV