Show simple item record

Selective growth of GaN layers on substrate modificated by method FIB

dc.contributor.advisorMach, Jindřichcs
dc.contributor.authorMareš, Petrcs
dc.date.accessioned2019-05-17T12:14:32Z
dc.date.available2019-05-17T12:14:32Z
dc.date.created2012cs
dc.identifier.citationMAREŠ, P. Selektivní růst GaN na modifikovaný substrát metodou FIB [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2012.cs
dc.identifier.other51324cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/9841
dc.description.abstractPráce se zabývá selektivním růstem krystalů GaN na SiO2. Teoretická část pojednává o charakteru růstu ultratenkých vrstev s důrazem na nitrid gallia a metody jeho přípravy. Teoretická část také obsahuje popis metody fokusovaného iontového svazku a základní principy dalších metod, které byly používány pro analýzu vzorků (AFM, XPS, fotoluminiscenční spektroskopie). Experimentální část se zabývá depozicí GaN na Si(111) s nativní vrstvou oxidu křemíku SiO2 (1-2 nm). Fokusovaným iontovým svazkem byly na substrátu vytvořeny vhodné struktury pro selektivní růst. Selektivního růstu bylo dosaženo pomocí metody postnitridace. Následně práce studuje principy unikátní metody pulzní depozice GaN, zejména ve vztahu k možnosti řízení velikosti krystalů GaN.cs
dc.description.abstractThe thesis deals with the selective growth of GaN crystals on the SiO2 layer. The theoretical part discusses the type of growth of ultrathin layers with focus on gallium nitride and its manufacturing. Moreover the text deals with principles of the focused ion beam and basic principles of other further methods which were used for analyzing the samples (AFM, XPS, photoluminescence spectroscopy). Experimental part consists of depositions of GaN. The silicon wafer Si(111) with native oxide SiO2 (1-2 nm) was used as a substrate. Focused ion beam was utilized to manufacture suitable structures on the substrate. Selective growth was acomplished with the use of the postnitridation method. Method of the pulse deposition was introduced with focus on increasing the volume of crystals.en
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrstvícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectGaNcs
dc.subjectFIBcs
dc.subjectpulzní depozicecs
dc.subjectpostnitridacecs
dc.subjectselektivní růstcs
dc.subjectIBAD.cs
dc.subjectGaNen
dc.subjectFIBen
dc.subjectpulse depositionen
dc.subjectpostnitridationen
dc.subjectselective growthen
dc.subjectIBAD.en
dc.titleSelektivní růst GaN na modifikovaný substrát metodou FIBcs
dc.title.alternativeSelective growth of GaN layers on substrate modificated by method FIBen
dc.typeTextcs
dcterms.dateAccepted2012-06-19cs
dcterms.modified2012-06-20-13:40:43cs
thesis.disciplineFyzikální inženýrství a nanotechnologiecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrstvícs
thesis.levelBakalářskýcs
thesis.nameBc.cs
sync.item.dbid51324en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2021.11.12 20:06:33en
sync.item.modts2021.11.12 19:51:45en
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta strojního inženýrstvícs
dc.contributor.refereeVoborný, Stanislavcs
dc.description.markAcs
dc.type.driverbachelorThesisen
dc.type.evskpbakalářská prácecs
but.committeeprof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)cs
but.defencecs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
but.programAplikované vědy v inženýrstvícs
but.jazykčeština (Czech)


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record