Show simple item record

Modeling of physical phenomena in semiconductors

dc.contributor.advisorRozsívalová, Zdenkask
dc.contributor.authorPálka, Máriosk
dc.date.accessioned2019-05-17T03:26:02Z
dc.date.available2019-05-17T03:26:02Z
dc.date.created2011cs
dc.identifier.citationPÁLKA, M. Modelování fyzikálních jevů v polovodičových materiálech [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2011.cs
dc.identifier.other40983cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/1321
dc.description.abstractTáto práca sa zaoberá vlastnosťami a fyzikálnymi javmi vyskytujúcimi sa v polovodičových materiáloch. Detailne sú popísané generačno - rekombinačné procesy v stave termodynamickej nerovnováhy. Výstupom z práce je softwarová aplikácia modelujúca priebehy energetických hladín v pásových modeloch vlastných a prímesových polovodičov v závislosti na type polovodiča, koncentrácii prímesí a teplote. Na záver je spracovaná virtuálna laboratórna úloha aplikovatelná vo výukovom procese.sk
dc.description.abstractThis work deals with properties and physical phenomena occurring in semiconductor materials. In details are described generation - recombination processes in a state of thermodynamic disequilibrium. The output of work is a software application simulating waveforms of energy levels in the band's own models and impurity semiconductors, depending on the type of semiconductor, impurities concentration and temperature. Finally, the processed virtual lab experiment deliverable in the educational process.en
dc.language.isoskcs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectpolovodičsk
dc.subjectpásový modelsk
dc.subjectgeneráciask
dc.subjectrekombináciask
dc.subjecttermodynamická nerovnováhask
dc.subjectsemiconductoren
dc.subjectband modelen
dc.subjectgenerationen
dc.subjectrecombinationen
dc.subjectthermodynamic imbalanceen
dc.titleModelování fyzikálních jevů v polovodičových materiálechsk
dc.title.alternativeModeling of physical phenomena in semiconductorsen
dc.typeTextcs
dcterms.dateAccepted2011-06-08cs
dcterms.modified2011-07-15-10:45:06cs
thesis.disciplineElektrotechnická výroba a managementcs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav elektrotechnologiecs
thesis.levelInženýrskýcs
thesis.nameIng.cs
sync.item.dbid40983en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2020.03.31 08:09:58en
sync.item.modts2020.03.31 05:57:56en
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
dc.contributor.refereeFrk, Martinsk
dc.description.markCcs
dc.type.drivermasterThesisen
dc.type.evskpdiplomová prácecs
but.committeeprof. Ing. Jiří Vondrák, DrSc. (předseda) doc. Ing. Jiří Vaněk, Ph.D. (místopředseda) prof. Ing. Mária Režňáková, CSc. (člen) Ing. Martin Frk, Ph.D. (člen) doc. Ing. Marie Sedlaříková, CSc. (člen)cs
but.defenceDiplomant seznámil státní zkušební komisi s cíli a řešením své diplomové práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta. Otázky u obhajoby: Jaké jsou další aplikace daného programu? Jaký je rozdíl mezi simulací a výpočtem? Je možno do programu zakomponovat modelaci dodatečných fyzykálních jevů?cs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
but.programElektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technikacs
but.jazykslovenština (Slovak)


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record