Show simple item record

Modeling of wirebonding technological steps for chip connection

dc.contributor.advisorPsota, Boleslavcs
dc.contributor.authorHouserek, Jiřícs
dc.date.accessioned2018-10-21T17:00:33Z
dc.date.available2018-10-21T17:00:33Z
dc.date.created2013cs
dc.identifier.citationHOUSEREK, J. Modelování technologických kroků kontaktování čipu mikrodrátkem [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2013.cs
dc.identifier.other66844cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/27100
dc.description.abstractTato práce se zabývá teoretickým rozborem kontaktování polovodičových čipů metodou wire-bonding. Jsou zde zmíněny základní typy pouzder polovodičových čipů a metoda jejich kontaktování. Dále je zde popsáno pracovní prostředí programu od společnosti Ansys, ve kterém byla vytvořena simulace namáhání a deformace mikrodrátku při termokompresním kontaktování.cs
dc.description.abstractThis work deals with a theoretical analysis of contacting semiconductor chips using wire-bonding method. There are mentioned basic types of chips packages and their contacts. In the thesis is also described software Ansys. The number of the mechanical stress and deformation simulation within micro-wire during thermocompress process were made.en
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectWire-bondingcs
dc.subjectsimulacecs
dc.subjectkontaktování čipůcs
dc.subjectAnsyscs
dc.subjectWire-boundingen
dc.subjectsimulationsen
dc.subjectchips contactsen
dc.subjectAnsysen
dc.titleModelování technologických kroků kontaktování čipu mikrodrátkemcs
dc.title.alternativeModeling of wirebonding technological steps for chip connectionen
dc.typeTextcs
dcterms.dateAccepted2013-06-11cs
dcterms.modified2013-06-14-10:16:24cs
thesis.disciplineMikroelektronikacs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav mikroelektronikycs
thesis.levelInženýrskýcs
thesis.nameIng.cs
sync.item.dbid66844en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2020.03.31 11:00:39en
sync.item.modts2020.03.31 09:42:40en
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
dc.contributor.refereeKosina, Petrcs
dc.description.markEcs
dc.type.drivermasterThesisen
dc.type.evskpdiplomová prácecs
but.committeedoc. Ing. Pavel Šteffan, Ph.D. (předseda) prof. Ing. Jaroslav Boušek, CSc. (místopředseda) RNDr. Ladislav Mareček, CSc. (člen) Ing. Jan Prášek, Ph.D. (člen) doc. Ing. Arnošt Bajer, CSc. (člen)cs
but.defenceStudent seznámil komisi se svoji závěrečnou prací a odpověděl na tyto otázky: 1) Na jakém principu fungují iterační metody. 2) Z jakého důvodu se nepodařilo provést simulaci kontaktování na hranu? 3) Jaký diskretizační prvek jste použil při simulacích a proč? 4) Jaké faktory ovlivňují kvalitu sváru? 5) Uvažoval jste v simulaci vliv teploty? Odpověď studenta: ne, při řešení práce šlo hlavně o mechanické deformace. 6) Zkoušel jste nějaké jiné tvary kapiláry? Odpověď studenta: ne, simuloval jsem na reálném tvaru kapiláry, které jsou k dispozici v laboratoři. 7) Víte, jak funguje simulace metodou konečných prvků? Víte, co od simulace očekávat, nebo jste se spoléhal pouze na výstup simulačního programu? Odpověď studenta: snažil jsem se nastudovat problematiku, ale příliš jsem některé záležitosti nepochopil. Kvůli verifikaci simulacím jsme testovali reálné bondy v laboratoři, s přibližně stejnými výsledky.cs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
but.programElektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technikacs
but.jazykčeština (Czech)


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record