Show simple item record

The graphene structures suitable for field effect transistors

dc.contributor.advisorMach, Jindřichcs
dc.contributor.authorKurfürstová, Markétacs
dc.date.accessioned2019-11-27T20:13:16Z
dc.date.available2019-11-27T20:13:16Z
dc.date.created2014cs
dc.identifier.citationKURFÜRSTOVÁ, M. Grafenové struktury vhodné pro polem řízené tranzistory [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2014.cs
dc.identifier.other70884cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/33299
dc.description.abstractTato bakalářská práce se zabývá přípravou grafenových struktur vhodných pro tranzistory řízené elektrickým polem. V první části je charakterizován grafen z hlediska jeho vlastností a metod přípravy. V části druhé je shrnuta polovodičová technika se zaměřením na tranzistory s grafenovou vrstvou. Následuje popis metody elektronové litografie, která byla použita při výrobě struktur. Na závěr je popsán experimentální postup přípravy grafenových struktur.cs
dc.description.abstractThis bachelor’s thesis is focused on preparation of graphene structures suitable for field effect transistors. In the first section, graphene is characterized in terms of its properties and prepataion methods. The second part sums up semiconductor technology, focusing on transistors with graphene layer. Next, electron beam litography method is presented, which had been used for preparation of the structures. Finally, an experimental procedure of graphene structures manufacture is described.en
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrstvícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectgrafencs
dc.subjecttranzistorcs
dc.subjectFETcs
dc.subjectelektronová litografiecs
dc.subjectpolovodičecs
dc.subjectgrapheneen
dc.subjecttransistoren
dc.subjectFETen
dc.subjectelectron beam litographyen
dc.subjectsemiconductorsen
dc.titleGrafenové struktury vhodné pro polem řízené tranzistorycs
dc.title.alternativeThe graphene structures suitable for field effect transistorsen
dc.typeTextcs
dcterms.dateAccepted2014-06-25cs
dcterms.modified2014-06-26-14:01:13cs
thesis.disciplineFyzikální inženýrství a nanotechnologiecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrstvícs
thesis.levelBakalářskýcs
thesis.nameBc.cs
sync.item.dbid70884en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2020.05.22 13:05:36en
sync.item.modts2020.05.22 12:28:46en
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta strojního inženýrstvícs
dc.contributor.refereeBartošík, Miroslavcs
dc.description.markAcs
dc.type.driverbachelorThesisen
dc.type.evskpbakalářská prácecs
but.committeeprof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)cs
but.defencecs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
but.programAplikované vědy v inženýrstvícs
but.jazykčeština (Czech)


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record