• čeština
    • English
    • русский
  • English 
    • čeština
    • English
    • русский
  • Login
View Item 
  •   Repository Home
  • Závěrečné práce
  • diplomové práce
  • Fakulta strojního inženýrství
  • 2015
  • View Item
  •   Repository Home
  • Závěrečné práce
  • diplomové práce
  • Fakulta strojního inženýrství
  • 2015
  • View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Selektivní růst GaN nanostruktur na křemíkových substrátech

Selective growth of GaN nanostructures on silicon substrates

Thumbnail
View/Open
final-thesis.pdf (8.319Mb)
review_84003.html (14.25Kb)
Author
Knotek, Miroslav
Advisor
Voborný, Stanislav
Referee
Novák, Tomáš
Grade
A
Altmetrics
Metadata
Show full item record
Abstract
Tato práce se zabývá depozicí tenkých vrstev nitridu gallia na křemíkové substráty pokryté maskami z negativního rezistu HSQ. Rezist byl strukturován elektronovou litografií za účelem vytvoření masek, ve kterých bylo dosaženo selektivního růstu GaN krystalů. Růst vrstev GaN byl prováděn pomocí metody MBE. Byly studovány různé podmínky depozice pro dosažení požadovaného selektivního růstu.
 
This thesis deals with deposition of gallium nitride thin films on silicon substrates covered by negative HSQ rezist. Rezist was patterned via electron beam lithography to create masks, where the selective growth of crystals was achieved. Growth of GaN layers was carried out by MBE method. For achievement of desired selective growth, the various deposition conditions were studied.
 
Keywords
GaN, HSQ rezist, elektronová litografie, tenké vrstvy, povrchová difúze, selektivní růst., GaN, HSQ resist, electron beam lithography, thin films, surface diffusion, selective growth.
Language
čeština (Czech)
Study brunch
Fyzikální inženýrství a nanotechnologie
Composition of Committee
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)
Date of defence
2015-06-22
Process of defence
Result of the defence
práce byla úspěšně obhájena
Persistent identifier
http://hdl.handle.net/11012/41212
Source
KNOTEK, M. Selektivní růst GaN nanostruktur na křemíkových substrátech [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2015.
Collections
  • 2015 [428]
Citace PRO

Portal of libraries | Central library on Facebook
DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Contact Us | Send Feedback | Theme by @mire NV
 

 

Browse

All of repositoryCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjects

My Account

LoginRegister

Statistics

View Usage Statistics

Portal of libraries | Central library on Facebook
DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Contact Us | Send Feedback | Theme by @mire NV