Selektivní růst GaN nanostruktur na křemíkových substrátech
Selective growth of GaN nanostructures on silicon substrates
Author
Advisor
Voborný, StanislavReferee
Novák, TomášGrade
AAltmetrics
Metadata
Show full item recordAbstract
Tato práce se zabývá depozicí tenkých vrstev nitridu gallia na křemíkové substráty pokryté maskami z negativního rezistu HSQ. Rezist byl strukturován elektronovou litografií za účelem vytvoření masek, ve kterých bylo dosaženo selektivního růstu GaN krystalů. Růst vrstev GaN byl prováděn pomocí metody MBE. Byly studovány různé podmínky depozice pro dosažení požadovaného selektivního růstu. This thesis deals with deposition of gallium nitride thin films on silicon substrates covered by negative HSQ rezist. Rezist was patterned via electron beam lithography to create masks, where the selective growth of crystals was achieved. Growth of GaN layers was carried out by MBE method. For achievement of desired selective growth, the various deposition conditions were studied.
Keywords
GaN, HSQ rezist, elektronová litografie, tenké vrstvy, povrchová difúze, selektivní růst., GaN, HSQ resist, electron beam lithography, thin films, surface diffusion, selective growth.Language
čeština (Czech)Study brunch
Fyzikální inženýrství a nanotechnologieComposition of Committee
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)Date of defence
2015-06-22Process of defence
Result of the defence
práce byla úspěšně obhájenaPersistent identifier
http://hdl.handle.net/11012/41212Source
KNOTEK, M. Selektivní růst GaN nanostruktur na křemíkových substrátech [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2015.Collections
- 2015 [428]