Show simple item record

Selective growth of GaN nanostructures on silicon substrates

dc.contributor.advisorVoborný, Stanislavcs
dc.contributor.authorKnotek, Miroslavcs
dc.date.accessioned2019-05-17T06:09:22Z
dc.date.available2019-05-17T06:09:22Z
dc.date.created2015cs
dc.identifier.citationKNOTEK, M. Selektivní růst GaN nanostruktur na křemíkových substrátech [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2015.cs
dc.identifier.other84003cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/41212
dc.description.abstractTato práce se zabývá depozicí tenkých vrstev nitridu gallia na křemíkové substráty pokryté maskami z negativního rezistu HSQ. Rezist byl strukturován elektronovou litografií za účelem vytvoření masek, ve kterých bylo dosaženo selektivního růstu GaN krystalů. Růst vrstev GaN byl prováděn pomocí metody MBE. Byly studovány různé podmínky depozice pro dosažení požadovaného selektivního růstu.cs
dc.description.abstractThis thesis deals with deposition of gallium nitride thin films on silicon substrates covered by negative HSQ rezist. Rezist was patterned via electron beam lithography to create masks, where the selective growth of crystals was achieved. Growth of GaN layers was carried out by MBE method. For achievement of desired selective growth, the various deposition conditions were studied.en
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrstvícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectGaNcs
dc.subjectHSQ rezistcs
dc.subjectelektronová litografiecs
dc.subjecttenké vrstvycs
dc.subjectpovrchová difúzecs
dc.subjectselektivní růst.cs
dc.subjectGaNen
dc.subjectHSQ resisten
dc.subjectelectron beam lithographyen
dc.subjectthin filmsen
dc.subjectsurface diffusionen
dc.subjectselective growth.en
dc.titleSelektivní růst GaN nanostruktur na křemíkových substrátechcs
dc.title.alternativeSelective growth of GaN nanostructures on silicon substratesen
dc.typeTextcs
dcterms.dateAccepted2015-06-22cs
dcterms.modified2015-06-24-13:49:23cs
thesis.disciplineFyzikální inženýrství a nanotechnologiecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrstvícs
thesis.levelInženýrskýcs
thesis.nameIng.cs
sync.item.dbid84003en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2020.03.31 09:07:33en
sync.item.modts2020.03.31 06:15:41en
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta strojního inženýrstvícs
dc.contributor.refereeNovák, Tomášcs
dc.description.markAcs
dc.type.drivermasterThesisen
dc.type.evskpdiplomová prácecs
but.committeeprof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)cs
but.defencecs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
but.programAplikované vědy v inženýrstvícs
but.jazykčeština (Czech)


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record