Show simple item record

Lifetime measurement of current carriers in silicon solar cells structures

dc.contributor.advisorBoušek, Jaroslavcs
dc.contributor.authorMacháček, Martincs
dc.date.accessioned2018-10-21T16:58:23Z
dc.date.available2018-10-21T16:58:23Z
dc.date.created2009cs
dc.identifier.citationMACHÁČEK, M. Měření doby života nosičů proudu ve strukturách křemíkových solárních článků [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2009.cs
dc.identifier.other23231cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/4312
dc.description.abstractTato práce se zabývá problematikou měření doby života ve strukturách křemíkových solárních článků. V první kapitole je popsáno několik modelů rekombinačních dějů, které mají nejpodstatnější vliv na efektivní dobu života nosičů náboje. Na základě znalosti rekombinačních modelů můžeme děje v polovodičových strukturách simulovat a získat tak orientační chování jednotlivých parametrů struktury solárního článku. V této práci jsou simulace prováděny pomocí programu PC1D. Pro samotné měření doby života na skutečných vzorcích byly použity dvě metody: QSSPC (měření za kvazi-ustáleného stavu) a MW-PCD (transientní měření s detekcí mikrovlnami). Ve čtvrté kapitole je uveden detailní popis těchto metod, přístrojů a rozdíly mezi oběma způsoby měření. Hlavním cílem diplomové práce se zabývá poslední kapitola, která je věnována hlavně problému odstranění zbytků po chemické pasivaci z křemíkového substrátu. Jsou zde zmíněny tři druhy chemické pasivace: roztok jodu v etanolu, roztok polymeru a jodu v etanolu a roztok chinhydronu v metanolu. U dvou ze tří pasivačních roztoků bylo dosaženo výsledků, které jsou dostatečné pro návrat křemíkového substrátu po pasivaci zpět do výrobního procesu.cs
dc.description.abstractThis thesis deals with a lifetime measurement of current carriers in silicon solar cell structures. In the first chapter there is a description of several recombination models and their participation at a final effective lifetime value. By using these recombination models in a computer simulation it is possible to receive approximate evaluation of some important silicon solar cell structure parameters. The PC1D simulation program was used for this thesis. For the lifetime measurement of real test-wafers two methods were used: QSSPC (quasi-steady-state photoconductance) and MW-PCD (microwave photoconductance decay). There is a detail description of these methods, used measurements machines and differences between both of them in the chapter four. The main objective of the thesis is mentioned in the last chapter, which is mainly focused on a chemical passivation of silicon wafers and deals with a problem of post-passivation wafer cleaning. There are three passivation techniques mentioned: the iodine in ethanol solution, the iodine and polymer in ethanol solution and the quinhydron in methanol solution. In two cases a results, that are adequate to return the tested wafers in the manufacture process, were achieved.en
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectrekombinacecs
dc.subjectchemická pasivacecs
dc.subjectchinhydroncs
dc.subjectčištěnícs
dc.subjectPCDcs
dc.subjectQSSPCcs
dc.subjectrecombinationen
dc.subjectchemical passivationen
dc.subjectquinhydronen
dc.subjectcleaningen
dc.subjectPCDen
dc.subjectQSSPCen
dc.titleMěření doby života nosičů proudu ve strukturách křemíkových solárních článkůcs
dc.title.alternativeLifetime measurement of current carriers in silicon solar cells structuresen
dc.typeTextcs
dcterms.dateAccepted2009-06-08cs
dcterms.modified2009-07-07-11:45:34cs
thesis.disciplineMikroelektronikacs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav mikroelektronikycs
thesis.levelInženýrskýcs
thesis.nameIng.cs
sync.item.dbid23231en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2021.11.08 13:07:01en
sync.item.modts2021.11.08 12:34:02en
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
dc.contributor.refereeHégr, Ondřejcs
dc.description.markAcs
dc.type.drivermasterThesisen
dc.type.evskpdiplomová prácecs
but.committeedoc. Ing. Pavel Legát, CSc. (předseda) RNDr. Ladislav Mareček, CSc. (místopředseda) Ing. Daniel Bečvář, Ph.D. (člen) doc. Ing. Pavel Šteffan, Ph.D. (člen) doc. Ing. Jiří Vaněk, Ph.D. (člen)cs
but.defenceVysvětlete pojem "biasovací osvětlení" z kapitoly 4.1.1. a charakterizujte jej z hlediska intenzity a spektrílního rozložení. Jaký přínos měla výroba "vaničky" pro chemickou pasivaci? Splnila účel z hlediska efektivnosti celého měření?cs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
but.programElektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technikacs
but.jazykčeština (Czech)


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record