Model tranzistoru MOSFET v programu SystemVision

Abstract

Táto bakalárska práca sa zaoberá modelovaním tranzistora MOS. Súčasťou teoretickej časti sú rozbor základnej štruktúry a fungovania MOS tranzistora, základy modelovania vo všeobecnosti, popis SPICE modelov LEVEL1 a LEVEL3 a spôsob získavania modelových parametrov pomocou optimalizačnej metódy. Realizačná časť je venovaná vytvoreniu statických modelov pre DC analýzu troch konkrétnych tranzistorov v podobe netlistu pre simulátory SPICE s použitím parametrov, ktoré boli získané optimalizačnou metódou v programe Matlab. Platnosť realizovaných modelov je následne overená porovnaním ich simulovaných charakteristík v programe SystemVision s charakteristikami uvedenými v datasheetoch tranzistorov.

This bachelor thesis deals with modeling of MOS transistor. The theoretical part of the thesis is dedicated to analysis of basic MOSFET structure and operation, basics of modeling in general, descriptions of SPICE models LEVEL1 and LEVEL3 and model parameters extraction by using the optimization technique. The realization part is dedicated to creation of static models for DC analysis for three specific MOS transistors in the form of netlist used in SPICE circuit simulators, using the model parameters, which have been obtained by using the optimization technique in Matlab. Validity of realized models is then verified by comparing of its characteristics, obtained from simulation in SystemVision program, with characteristics from transistor’s datasheets.