Analýza bipolárních tranzistorů s izolovaným hradlem

Analysis of Trench Insulated Gate Bipolar Transistors

Thumbnail
View/Open
Author
Advisor
Bábor, Petr
Referee
Polčák, Josef
Grade
A
Alternative metrics PlumX
http://hdl.handle.net/11012/60610
Altmetrics
http://hdl.handle.net/11012/60610
http://hdl.handle.net/11012/60610
Metadata
Show full item record
Abstract
Táto práca sa zaoberá výberom a optimalizáciou vhodných analytických metód pre charakte-rizáciu TIGBT (Trench Insulated Gate Bipolar Transistor, bipolárny tranzistor s izolovaným trench hradlom) štruktúr s použitím metód zobrazujúcich materiálové zloženie vzoriek. V teo-retickej časti sú popísané princípy použitých analytických metód a základné princípy činnosti študovaných TIGBT tranzistorov. Praktická časť sa zaoberá metodikou merania, následným spracovaním a vyhodnotením výsledkov meraní a návrhom optimálnych postupov meraní.
 
This thesis is focused on the selection and optimalization of suitable analytical methods for study of TIGBT (Trench Insulated Gate Bipolar Transistor) structures with a use of methods, that depict material composition of the studied sample. The theoretical part contain explana-tions of the analytical methods used for measurements and basic principle of operation of an TIGBT transistor. The practical part contain the methodic of measurements and the evaluation of the obtained data and design of optimal procedures in done experiments.
 
Keywords
TIGBT, IGBT, SEM (skenovací elektrónový mikroskop), EBIC (Electron Beam Induced Current) TOF–SIMS (Time of Flight Secondary Ion Mass Spectroscopy), kolektor, emitor, báza, trench, zdroj, hradlo, oxid., TIGBT, IGBT, SEM (Scanning Electron Microscope), EBIC (Electrone Beam Induced Current), TOF- SIMS (Time of Flight Secondary Ion Mass Spectroscopy), collector, emitter, base, trench, gate, source, drain, oxide.
Language
slovenština (Slovak)
Study brunch
Fyzikální inženýrství a nanotechnologie
Composition of Committee
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen)
Date of defence
2016-06-22
Process of defence
Result of the defence
práce byla úspěšně obhájena
Persistent identifier
http://hdl.handle.net/11012/60610
Source
KARLOVSKÝ, J. Analýza bipolárních tranzistorů s izolovaným hradlem [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2016.
Collections
Citace PRO