Show simple item record

Analysis of Trench Insulated Gate Bipolar Transistors

dc.contributor.advisorBábor, Petrsk
dc.contributor.authorKarlovský, Jurajsk
dc.date.accessioned2016-06-02T10:54:10Z
dc.date.available2016-06-02T10:54:10Z
dc.date.created2016cs
dc.identifier.citationKARLOVSKÝ, J. Analýza bipolárních tranzistorů s izolovaným hradlem [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2016.cs
dc.identifier.other93202cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/60610
dc.description.abstractTáto práca sa zaoberá výberom a optimalizáciou vhodných analytických metód pre charakte-rizáciu TIGBT (Trench Insulated Gate Bipolar Transistor, bipolárny tranzistor s izolovaným trench hradlom) štruktúr s použitím metód zobrazujúcich materiálové zloženie vzoriek. V teo-retickej časti sú popísané princípy použitých analytických metód a základné princípy činnosti študovaných TIGBT tranzistorov. Praktická časť sa zaoberá metodikou merania, následným spracovaním a vyhodnotením výsledkov meraní a návrhom optimálnych postupov meraní.sk
dc.description.abstractThis thesis is focused on the selection and optimalization of suitable analytical methods for study of TIGBT (Trench Insulated Gate Bipolar Transistor) structures with a use of methods, that depict material composition of the studied sample. The theoretical part contain explana-tions of the analytical methods used for measurements and basic principle of operation of an TIGBT transistor. The practical part contain the methodic of measurements and the evaluation of the obtained data and design of optimal procedures in done experiments.en
dc.language.isoskcs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrstvícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectTIGBTsk
dc.subjectIGBTsk
dc.subjectSEM (skenovací elektrónový mikroskop)sk
dc.subjectEBIC (Electron Beam Induced Current) TOF–SIMS (Time of Flight Secondary Ion Mass Spectroscopy)sk
dc.subjectkolektorsk
dc.subjectemitorsk
dc.subjectbázask
dc.subjecttrenchsk
dc.subjectzdrojsk
dc.subjecthradlosk
dc.subjectoxid.sk
dc.subjectTIGBTen
dc.subjectIGBTen
dc.subjectSEM (Scanning Electron Microscope)en
dc.subjectEBIC (Electrone Beam Induced Current)en
dc.subjectTOF- SIMS (Time of Flight Secondary Ion Mass Spectroscopy)en
dc.subjectcollectoren
dc.subjectemitteren
dc.subjectbaseen
dc.subjecttrenchen
dc.subjectgateen
dc.subjectsourceen
dc.subjectdrainen
dc.subjectoxide.en
dc.titleAnalýza bipolárních tranzistorů s izolovaným hradlemsk
dc.title.alternativeAnalysis of Trench Insulated Gate Bipolar Transistorsen
dc.typeTextcs
dcterms.dateAccepted2016-06-22cs
dcterms.extent4.17 MBcs
dcterms.mediumapplication/pdfen
dcterms.modified2016-06-24-09:02:19cs
thesis.disciplineFyzikální inženýrství a nanotechnologiecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrstvícs
thesis.levelBakalářskýcs
thesis.nameBc.cs
sync.item.dbid93202en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2021.11.12 14:08:07en
sync.item.modts2021.11.12 13:36:03en
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta strojního inženýrstvícs
dc.contributor.refereePolčák, Josefsk
dc.description.markAcs
dc.type.driverbachelorThesisen
dc.type.evskpbakalářská prácecs
but.committeeprof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen)cs
but.defencecs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
but.programAplikované vědy v inženýrstvícs
but.jazykslovenština (Slovak)


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record