Show simple item record

Elektrostatické dotování grafenu prostřednictvím nabíjení defektů v hradlovém dielektriku způsobeného rentgenovým zářením.

dc.contributor.authorProcházka, Pavelcs
dc.contributor.authorMareček, Davidcs
dc.contributor.authorLišková, Zuzanacs
dc.contributor.authorČechal, Jancs
dc.contributor.authorŠikola, Tomášcs
dc.date.accessioned2020-08-04T11:04:37Z
dc.date.available2020-08-04T11:04:37Z
dc.date.issued2017-04-03cs
dc.identifier.citationScientific Reports. 2017, vol. 7, issue 1, p. 1-7.en
dc.identifier.issn2045-2322cs
dc.identifier.other134874cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/64752
dc.description.abstractGraphene field effect transistors are becoming an integral part of advanced devices. Hence, the advanced strategies for both characterization and tuning of graphene properties are required. Here we show that the X-ray irradiation at the zero applied gate voltage causes very strong negative doping of graphene, which is explained by X-ray radiation induced charging of defects in the gate dielectric. The induced charge can be neutralized and compensated if the graphene device is irradiated by X-rays at a negative gate voltage. Here the charge neutrality point shifts back to zero voltage. The observed phenomenon has strong implications for interpretation of X-ray based measurements of graphene devices as it renders them to significantly altered state. Our results also form a basis for remote X-ray tuning of graphene transport properties and X-ray sensors comprising the graphene/oxide interface as an active layeren
dc.description.abstractPráce se zabývá elektrostatickým dotováním grafenu prostřednictvím nabíjení defektů v hradlovém dielektriku vyvolaného rentgenovým zářením.cs
dc.formattextcs
dc.format.extent1-7cs
dc.format.mimetypeapplication/pdfcs
dc.language.isoencs
dc.publisherNPGcs
dc.relation.ispartofScientific Reportscs
dc.relation.urihttps://www.nature.com/articles/s41598-017-00673-zcs
dc.rightsCreative Commons Attribution 4.0 Internationalcs
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/cs
dc.subjectGrafen
dc.subjecttranzistor GFET
dc.subjectrentgeové záření
dc.subjectnabité defekty
dc.subjecthradlové dielektrikum
dc.subjectGrapheneen
dc.subjectField effect transistoren
dc.subjectX-raysen
dc.subjectCharged defectsen
dc.subjectGate dielectricsen
dc.titleX-ray induced electrostatic graphene doping via defect charging in gate dielectricen
dc.title.alternativeElektrostatické dotování grafenu prostřednictvím nabíjení defektů v hradlovém dielektriku způsobeného rentgenovým zářením.cs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Středoevropský technologický institut VUT. Příprava a charakterizace nanostrukturcs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. ÚFI-odbor fyziky pevných látek a povrchůcs
sync.item.dbidVAV-134874en
sync.item.dbtypeVAVen
sync.item.insts2020.08.04 13:04:37en
sync.item.modts2020.08.04 12:43:16en
dc.coverage.issue1cs
dc.coverage.volume7cs
dc.identifier.doi10.1038/s41598-017-00673-zcs
dc.rights.accessopenAccesscs
dc.rights.sherpahttp://www.sherpa.ac.uk/romeo/issn/2045-2322/cs
dc.type.driverarticleen
dc.type.statusPeer-revieweden
dc.type.versionpublishedVersionen


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Creative Commons Attribution 4.0 International
Except where otherwise noted, this item's license is described as Creative Commons Attribution 4.0 International