Selektivní růst kovových materiálů.

Abstract

Diplomová práce pojednává o studiu selektivního růstu tenkých vrstev kobaltu na Si(111) s tenkou vrstvou oxidu křemičitého na mřížkách, které byly vytvořeny metodou fokusovaného iontového svazku, a o růstu a morfologii tenké vrstvy železa rostoucí na substrátu Si/SiO2 bez úpravy. Dále jsou zkoumány vrstvy a-C:H, vliv depozičních parametrů na jejich vlastnosti a poměr vazeb sp2 a sp3. Pro analýzu těchto vrstev jsou použity metody XPS, AFM a SEM.

The diploma thesis deals with selective growth of cobalt thin films on lattices created by focused ion beam on Si(111) substrates with thin film of silicon dioxide. Further, the growth and morphology of iron thin films growing on Si/SiO2 substrate without modification was studied. In the last part, thin film of a-C:H, influence of preparation parameters on their growth and ratio of sp2 and sp3 bonds, was investigated. For analysis of those films XPS, AFM, and SEM metods were used.