KARLOVSKÝ, J. Příprava řezů vzorků a jejich analýza metodou SIMS [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2018.
Diplomová práce se zabývá využitím metody SIMS pro analýzu struktur v polovodičovém průmyslu. Řeší problematiku přípravy vzorků a optimalizaci měřících protokolů metody SIMS. V rámci práce byl navržen, vyroben a otestován manipulátor rozšiřující možnosti rotace vzorku v používaném zařízení od firmy IONTOF. Student se během řešení této problematiky naučil na tomto zařízení měřit a hodně času věnoval optimalizaci měřících parametrů. Podařilo se mu také zvládnout různé postupy pro tvorbu řezů vzorků včetně analýzy těchto řezů metodou SIMS a SEM. Diplomantovi se podařilo inženýrským způsobem řešit danou problematiku a srozumitelně prezentovat dosažené výsledky. Jeho práce bude jistě sloužit k dalším analýzám prováděným nejenom pro společnost On Semicondutor. Navrhuji proto hodnocení stupněm A.
| Kritérium | Známka | Body | Slovní hodnocení |
|---|---|---|---|
| Splnění požadavků a cílů zadání | A | ||
| Postup a rozsah řešení, adekvátnost použitých metod | A | ||
| Vlastní přínos a originalita | A | ||
| Schopnost interpretovat dosažené výsledky a vyvozovat z nich závěry | B | ||
| Využitelnost výsledků v praxi nebo teorii | A | ||
| Logické uspořádání práce a formální náležitosti | B | ||
| Grafická, stylistická úprava a pravopis | B | ||
| Práce s literaturou včetně citací | B | ||
| Samostatnost studenta při zpracování tématu | A |
Předložená diplomová práce pokrývá svým obsahem velmi širokou oblast. V teoretickém úvodu autor popisuje funkci struktury součástky IGBT včetně hradlové trench struktury a okrajové terminace. Dále zde rozebírá metody růstu tenkých vrstev se zaměřením na fyzikální a chemickou depozici z plynné fáze. Na to je navázáno podrobným popisem metody ToF SIMS se zaměřením na popis jednotlivých částí systému. Poslední část obsáhlého teoretického úvodu se zaobírá přípravou tvorby řezů. Tyto teoretické znalosti pak autor zužitkovává při měření aktivní struktury a terminace TIGBT pomocí ToF SIMS. Měření bylo dále prováděno na In-GaN kvantových jámách a zároveň byly testovány parametry primárního svazku na Röntgenovém zrcadle. Poslední část práce je pak věnována vlastní konstrukci rotačního držáku vzorků pro ToF SIMS doplněná podrobnou technickou dokumentací v příloze. Tento držák byl úspěšně otestován při zkoumání defektu v TIGBT struktuře. Obsahové stránce lze vytknout pouze několik méně významných, přesto diskutabilních tvrzení (např. průrazné napětí přechodu J1 u struktury na obrázku 2.3 obvykle nebývá shodné s průrazným napětím přechodu J2, terminační struktura na obrázku 2.6 typicky není realizována spolu s aktivní strukturou, lom křemíkového vzorku, jenž je zmíněn v kapitole 4.1.1, je dán hlavně krystalografickou orientací, …). Rozpory jsou ovšem dány především rozdíly mezi citovanou literaturou a praxí. Dále se v práci nachází několik formálních chyb při práci se zdroji, kdy citace (např. [6], [9]) nejsou primárními zdroji citované problematiky. I přes drobné výhrady je třeba ocenit velký rozsah práce a množství oblastí, kterých se text dotýká. Významným přínosem je také realizovaný držák vzorků. Práci doporučuji k obhajobě a navrhuji hodnocení stupněm B.
| Kritérium | Známka | Body | Slovní hodnocení |
|---|---|---|---|
| Splnění požadavků a cílů zadání | A | ||
| Postup a rozsah řešení, adekvátnost použitých metod | B | ||
| Vlastní přínos a originalita | B | ||
| Schopnost interpretovat dosaž. výsledky a vyvozovat z nich závěry | A | ||
| Využitelnost výsledků v praxi nebo teorii | B | ||
| Logické uspořádání práce a formální náležitosti | C | ||
| Grafická, stylistická úprava a pravopis | A | ||
| Práce s literaturou včetně citací | C |
eVSKP id 109779