Model stárnutí unipolárního tranzistoru
Loading...
Date
Authors
ORCID
Referee
Mark
C
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Práce se zabývá problematikou stárnutí unipolárního tranzistoru. V teoretické části jsou popsány mechanismy, způsobující stárnutí unipolárního tranzistoru a způsoby omezení vlivu změny parametrů v čase Na základě teoretických znalostí bylo provedeno měření a vyhodnocení naměřených dat. Výsledkem práce je model stárnutí unipolárního tranzistoru, vytvořený extrakcí parametrů z naměřených dat a výpočtem degradačních konstant pomocí těchto parametrů. V praxi lze tento model použít v simulátorech elektronických obvodů, které podporují simulaci stárnutí (např. ELDO).
This work deals with problems aging of unipolar transistors. In theoretical parts are described the mechanisms which causing aging unipolar transistors and way leading to the restriction the change of parameters in time. The measurement and data evaluation was built on theoretical knowledge. The model of aging FET is a result of this works; it is creating extraction of data from measured data. Finally, the degradation constants are evaluation from this data. This FET aging model is easy to use in simulators of electronics circuits including aging simulations (e.g. ELDO).
This work deals with problems aging of unipolar transistors. In theoretical parts are described the mechanisms which causing aging unipolar transistors and way leading to the restriction the change of parameters in time. The measurement and data evaluation was built on theoretical knowledge. The model of aging FET is a result of this works; it is creating extraction of data from measured data. Finally, the degradation constants are evaluation from this data. This FET aging model is easy to use in simulators of electronics circuits including aging simulations (e.g. ELDO).
Description
Citation
NOVOSÁD, J. Model stárnutí unipolárního tranzistoru [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2008.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Mikroelektronika
Comittee
doc. Ing. Ivan Szendiuch, CSc. (předseda)
doc. Ing. Pavel Legát, CSc. (místopředseda)
Ing. Ondřej Sajdl, Ph.D. (člen)
Ing Antonín Rek, CSc (člen)
Ing. Jiří Špinka (člen)
Date of acceptance
2008-06-09
Defence
Student seznámil komisi se svou diplomovou prací.
Dále na základě pobídky komise hovořil o statistickém řízení experimentů, diskuse pokračovala také ohledně reprodukovatelnosti výsledků měření.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení