Optické vlastnosti monokrystalického křemíku

Loading...
Thumbnail Image
Date
ORCID
Mark
C
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Předkládaná práce se zabývá optickými vlastnostmi křemíku. Práce je zaměřena na realizaci křemíkových vzorků s ohmickými kontakty. Byl proveden návrh vhodného zdroje záření pro měření absorpční hrany monokrystalického polovodičového materiálu (křemíku). Navržené měřící pracoviště bylo realizováno. Měření byla prováděna na vzorcích monokrystalického křemíku typu P získaný z firmy ON Semiconductor Rožnov. p. Radhoštěm , pro který byla určena absorpční hrana.
This diploma thesis deals with optical properties of silicon. The main task of the work was to create silicon samples with ohmic contacts. Suitable radiation source was designed to measure absorption edge of monocrystalline silicon. Designed measuring station was realised. Measurements were performed on samples of p-type monocrystalline silicon provided by ON Semiconductor Rožnov. p. Radhoštěm. The absorbtion edge was measured.
Description
Citation
KAHÁNEK, T. Optické vlastnosti monokrystalického křemíku [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2012.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Mikroelektronika
Comittee
doc. Ing. František Urban, CSc. (předseda) doc. Ing. Jiří Jakovenko, Ph.D. (místopředseda) prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc. (člen) doc. Ing. Josef Šandera, Ph.D. (člen) doc. Ing. Jaromír Hubálek, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2012-06-05
Defence
Diplomant seznámil státní zkušební komisi s cíly a řešením své diplomové práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta a členů komise u obhajoby. Položené otázky: Pro výpočet světelné intenzity používáte měření světelného toku a následného výpočtu. Nešlo by toto měření zjednodušit a tím snížit chybu měření? Z jakého důvodu se neuvažovalo o použití nějakého jiného typu IR zářiče, než jsou LED diody? Proč byl na některých místech waferu vytvářen PN přechod? Pro jaký účel byl přípravek připraven? Jakou přesnost mělo vaše měření?
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení
DOI
Collections
Citace PRO