Analýza modelování neshodností různých modelů tranzistorů ve slabé a silné inverzi

Loading...
Thumbnail Image
Date
ORCID
Mark
B
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Cílem práce je simulovat neshodnosti různých modelů tranzistorů a vytvořit metodologii, která umožní co nejpřesněji zhodnotit a porovnat výsledky měření a simulací s teoretickým základem. Výsledkem práce bude zhodnocení přesnosti modelování neshodnosti pro různé modely tranzistoru a porovnání jednotlivých modelů mezi sebou.
This work maps mismatch modeling for CMOS transistor in strong and weak inversion region. The goal is to build sufficient theoretical background describing origins of mismatch during manufacturing and its modeling and find suitable methodology, which will enable to compare 7 selected models of transistor, which was simulated.
Description
Citation
DVOŘÁK, M. Analýza modelování neshodností různých modelů tranzistorů ve slabé a silné inverzi [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2020.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
bez specializace
Comittee
doc. Ing. Jiří Háze, Ph.D. (předseda) Ing. Břetislav Mikel, Ph.D. (místopředseda) Ing. Alexandr Otáhal, Ph.D. (člen) Ing. Vojtěch Dvořák (člen) Ing. Miroslav Zatloukal (člen)
Date of acceptance
2020-06-23
Defence
Student seznámil členy komise se svou balakářskou prací. Zodpověd všechny otázky které byly kladeny i otázky od openta. Dále se komise ptala jaký simulátor byl použit, pro analýzu obvodů. A případně jaký další simulátor by byl použit. Student odpověděl na všechny doplňující otázky. Student zopověděl i otázky ohledně modelů
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení
DOI
Collections
Citace PRO